BJT 기호와 같은 쇼트 키 다이오드
답변:
쇼트 키 트랜지스터 를 이해하려면 세 가지를 이해해야합니다 .
- 일반적인 BJT에서 포화 상태 콜렉터-이미 터 전압은 0.2V 이하입니다.
- 일반적인 BJT에서 기본 이미 터 전압은 0.8V 이상이어야합니다.
- 쇼트 키 다이오드 의 포화 상태 전압 강하 는 약 0.3V입니다.
우리가이 모든 정보를 함께 고려한다면; 트랜지스터 (0.2V)의 전압 강하에 추가 된 다이오드 (0.3V)의 전압 강하가 트랜지스터의 필요한 포화베이스-이미 터 전압에 도달하지 않기 때문에 쇼트 키 트랜지스터는 포화 상태로 들어갈 수 없다.
왜 이런 트랜지스터가 필요한가요?
BJT의 가장 큰 단점 중 하나는 포화 상태에서 매우 느려진다는 것입니다. 이로 인해 스위칭 속도가 느려집니다. 그러나 포화 상태로 들어 가지 않으면 훨씬 빨리 끌 수 있습니다. 이것이 쇼트 키 트랜지스터가 사용되는 이유입니다.
아주 좋은 설명입니다. 나는 트랜시버의 켜기 / 끄기 시간에 대해 말할 때 항상 약간 혼란스러워했습니다. 나는 이러한 시간이 내부 접합 기생 용량의 결과라는 것을 알고 있지만 왜 그런 것들이 존재 하는지 완전히 이해하지 못했습니다 . 스코 키 트랜지스터는 본질적으로 과도한 전하가베이스에 들어가고 이러한 기생 커패시턴스를 충전하지 못하게합니까?
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sherrellbc 2018 년
솔리드 스테이트 설명은 기억 나지 않지만 "기본 청구"와 관련이 있다고 생각하지 않습니다. MOSFET과 같이 BJT에는 기본 전하가 많지 않기 때문입니다. 다른 사람이 이에 대해 설명 할 수 있습니다.
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hkBattousai 2016 년
그림에서 "Schotkey"는 "Schottky"여야합니다.
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Peter Mortensen 2016 년
이것을 쇼트 키 트랜지스터 라고합니다 . 기본적으로이 트랜지스터는 쇼트 키 다이오드 접합을 통합하여 트랜지스터의 포화 상태를 유지하고 스위칭 (논리) 응용 제품에서 속도를 높이는 트랜지스터입니다.
좋은 점은 BJT를 통합 할 때 다이오드를 자유롭게 만드는 것입니다.베이스 접점이 약간 넓어 져서 컬렉터 확산과도 접촉합니다.
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Vladimir Cravero 2016 년