NPN과 PNP 트랜지스터의 차이점은 무엇입니까?


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NPN 트랜지스터의 작동 방식을 알고 있다고 가정 해 봅시다 .

PNP 트랜지스터는 어떻게 다릅니 까? PNP와 NPN의 운영상의 차이점은 무엇입니까?


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@Federico-Denilson이 물리적 인 차이점을 알고 싶어한다고 믿는 이유는 무엇입니까? 그가 대답을있는 그대로 받아들이고 운영 특성에 관한 다른 질문과 연결 되었으므로 Kortuk 과 같은 결론에 도달했습니다 . 질문의 의미를 변경했습니다. 수정 사항은 스레드를 가로 채기 위해 사용되어서는 안되며, 변경하지 않고 게시물의 의미를 명확하게하기 위해 편집해야합니다 .
Kevin Vermeer

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@Kevin Vermeer : 제목과 완벽하게 일치하여 차이점이 무엇인지 묻습니다. Denilson은 또한 운영상의 차이점이 무엇인지 질문하고 허용되는 답변은 연결 방법에 대해서만 이야기합니다. 다른 차이점이 있다면 나는이 질문에 대한 답이라고 생각합니다.
Federico Russo

@ 케빈 베르메르 (Kevin Vermeer) : 나는 또한 새로운 질문이 정확한 복제본으로 닫히지 않기를 원했습니다.
Federico Russo

@Kevin-Federico의 추가 내용을 읽었으며 질문의 의도를 변경하지 않는다는 데 동의합니다. "특성 차이"(FR)는 "작동 차이"(DS)의 일부입니다. 롤백을 결정하는 것은 Denilson이되어야한다고 생각합니다.
stevenvh

@stevenvh, 그것은 어떤 대답이 받아 들여 졌는지에 따라 포스터가 의미하는 바와 정확히 일치하지 않습니다. 당신은 맞습니다, 우리는 무게를 달기 위해 OP를해야합니다.
Kortuk

답변:


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PNP 트랜지스터는 NPN과 동일한 방식으로 작동하지만 모든 전압과 전류가 반전됩니다. 이미 터를베이스에서 공급되는 더 높은 전위의 소스 전류에 연결하면 주 전류가 이미 터로 흐른 다음 컬렉터를 통해 종료됩니다.

0.7VBE 는 되지만 보완 부품을 사용하는 경우 PNP와 NPN에서 크기가 동일해야합니다.0.7V


첫 번째 단락에서 설명하는 것은 PNP 트랜지스터입니다. 이것은 또한 장치 물리학에 대한 것이기 때문에 질문에 대답하지 않습니다. 대부분의 운송 업체, 홀 등을 설명하지 않았습니다.
Olin Lathrop

@OlinLathrop, 당신은 질문을 개선하기 위해 편집 할 수 있지만 허용 된 답변을 기반으로 OP는 주로 운영상의 차이점에 관심이 있습니다.
Kortuk

@ OlinLathrop, 나는 대답의 가독성을 향상시키기 위해 노력했습니다. Kortuk이 말했듯이 OP가 물리에 전혀 관심이 없다고 생각합니다.
jpc

질문이 그동안 변경되었거나 병합되었을 수 있습니다. 내가 본 최초의 질문은 물리학과 구체적으로 언급 된 다수의 운반자와 구멍에 대해 묻었습니다.
Olin Lathrop

@Olin 편집 기록을 확인한 결과 확장 된 질문은 OP와 관련이없는 사람이 추가했기 때문에 발생한 것 같습니다.
jpc

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NPN과 PNP 트랜지스터는 다릅니다. 전자는 홀보다 이동성이 높기 때문에 PNP가 NPN만큼 좋지 않습니다. Si BJT의 경우 PNP 유형은 항복 전압과 실제로 높은 전력과 관련하여 뒤쳐져 있습니다. BC337 / BC327과 같은 범용 장치의 경우 모든 의도와 목적이 동일하지만 오프라인 SMPS를 원한다면 1KW에서 쉽지 않거나 실용적이지 않습니다. 게르마늄의 경우 NPN이 더 좋을 것으로 예상되지만 그렇지 않습니다. 이것은 제조 문제 때문입니다. AC127은 AC128만큼 좋지 않으며 AD161은 AD162만큼 좋지 않으며 이러한 장치는 일치하는 쌍으로 판매되었습니다. 전자 대 정공 이동도의 비는 PNP가 NPN에 얼마나 가까운지를 결정하는 요인이다. 이것은 SiC의 경우 훨씬 더 나쁘기 때문에 lousey PNP BJT를 기대할 수 있으므로 아마도 그것들을 만들지 않을 것입니다. 어떤 이유로 PNP는 잡음이 적기 때문에 diff pair 입력 단계에서 선호됩니다. 하이 사이드 드라이버 칩이 풍부하다는 것은 PNP가 NPN만큼 좋지 않다는 증거입니다.


전자와 정공의 이동성의 차이를 강조하기 위해 +1. 정공은 자유 전자의 "양 등가"가 아닙니다. 이 의견에 의문을 가진 사람들을 위해, 여기 더 많은 것을보십시오 electronics.stackexchange.com/questions/199347/…
akhmed

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유일한 차이점은 트랜지스터의 기능 내에 있습니다. 접지 된 (공통) 이미 터 구성에서, PNP 트랜지스터의베이스 전류가 제공 될 때 (또는베이스가 5V 전원에 연결될 때 더 실용적 일 때), n 영역의 대부분의 캐리어가 동작하는 전자이므로 전도가 발생하지 않습니다 이미 터와 콜렉터 사이에 경로가 형성되지 않고 이미 터 접합부에서 o / p가 얻어지지 않습니다. 베이스 전류가 트랜지스터로부터 제거되면, 가상 경로가 에미 터 및 컬렉터에 형성되어 전자 흐름에 일정한 저항을 제공하고, 이는베이스 전류 (또는 전압)에 의해 이후에 변경된다. 이러한 경우 Vcc가 컬렉터에 직접 연결되고 이미 터가 저항 (10k 가능)을 통해 접지되면 Vcc는 이미 터 접합에 나타나는 직접 경로를 얻습니다. 따라서 PNP의 경우 이미 터에서 o / p를 취하면 구성은 인버터의 구성이며 콜렉터에서는 트랜지스터가 간단한 스위치 또는 버퍼로 작동합니다 (NPN 구성과 정확히 반대입니다). 시뮬레이션 소프트웨어를 사용하면 그림을 볼 수 없습니다. 그러나 이것이 이것이 목적을 달성하기를 바랍니다.

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