풀업 저항이 풀다운 저항보다 일반적인 이유는 무엇입니까?

풀업 저항이 풀다운보다 훨씬 일반적이라는 것을 알았습니다. 왜 그렇습니까?

예를 들어, Arduino의 MCU에는 내부 풀업이 있지만 풀다운 저항은 동일한 작업을 수행하고 로직 문제를 피하는 반면 작업중인 물리적 로직 (예 : 스위치 작업)을 반전시키는 경향이 있습니다.

• TTL 은 포지티브 레일보다 접지에 더 가까운 낮은 임계 값과 높은 임계 값을 가지므로 강한 트랜지스터가 상대적으로 약한 저항에 대해 출력을 끌어 내릴 때 좋습니다.

• 일반적으로 접지는 파워 레일보다 더 나은 (예 : 더 안정적인) 기준 전압 일 것입니다.

• 저항을 대상 전압의 양극에 연결하면 개방형 콜렉터 / 드레인 출력을 전압 변환기로 사용할 수 있습니다.

• 고대 저항 트랜지스터 논리 는 이것을 전체적으로 작동 원리로 사용했습니다.

즉, 일부 마이크로 컨트롤러에는 구성 가능한 내부 풀업 및 풀다운 (예 : NXP LPC1xxx)이 있습니다.

이것은 TTL 시대에서 비롯된 것입니다. 플로팅 TTL 입력은 높은 것으로 간주되며 풀업이 필요하지 않습니다.

따라서 입력과 접지 사이에 스위치를 연결할 수 있습니다. 나중에 CMOS가 등장하면서 스위치 위치는 유지되었지만 플로팅 입력 (스위치 열림)은 입력을 정의되지 않은 상태로 두었으므로 풀업이 추가되었습니다.

로직 입력을 구동하기 위해서는 저항이 필요한 오픈 컬렉터 및 오픈 드레인 출력이 많이 있습니다. 이들은 거의 보편적으로 출력을 접지로 전환합니다. 출력을 포지티브 레일로 당기는 오픈 드레인 유형 출력이 있는지 확실하지 않습니다. 또한, 선택의 여지가 있다면 접지는 일반적으로 나머지 회로에 대한 전압 기준이기 때문에 끌어 당기는 것이 더 좋습니다. 또한 로직 입력을 구동하지 않고 부하 전류를 스위칭하는 경우 존재하는 모든 저항은 전압을 끌어 올리는 것보다 부하 전류를 제한하는 것과 관련이 있습니다.

VCC로 끌어 올리면 로직 1 (5V라고 함)에 높은 임피던스 지점을 취할 수 있습니다. 그러나 dowm을 같은 지점으로 당기면 GND 전위를 가리킬 수 없습니다. 좋은 품질의 제로 로직은 임피던스 싱킹 용량이 낮다는 것을 의미합니다.

NPN 트랜지스터를 사용하여 스위치를 만들고베이스를 끌어 올렸다고 가정하십시오. 이제 입력과 단일 출력을 갖는 논리 회로가 있습니다. 여기서 풀다운 저항을 사용하여 회로를 끌 수 없으며 입력 단자를 GND에 직접 연결해야만 스위치를 끌 수 있습니다. 따라서 풀다운 터미널이 로직 ZERO라고 말할 수는 없습니다.

그러나 마지막으로 사용하는 논리 유형에 따라 다릅니다.