베이스 이미 터 저항기의 목적은 무엇입니까?


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누군가 저항 R2의 목적을 설명해 줄 수 있습니까? R2를 제거하면 회로가 동일한 결과를 수행합니까?

개략도

이 회로 시뮬레이션CircuitLab을 사용하여 작성된 회로도


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아닙니다. R1 및 R2를 제거하면베이스가 플로팅됩니다. R1을 짧게 한 다음 Vbe = ?? V는 이제 얼마나 많은 전류가 흐를 지 계산합니다. 이제 R1 = 1k ohm과 비교하십시오.
Bimpelrekkie

회로를 그려서 묻습니다. 왜 R2를 회로에 넣었습니까?
Andy 일명

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내 생각에 그는 그가 그것에 대해 물어보기 위해 일부 회로의 일부를 다시 만들었습니다.
jms

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에서 주어진 2.8 V DC 회로는 왼쪽의인가가 상황 R2가있는 것은 아닌지 거의 차이를 만든다. 그러나 2.8V가 제공되지 않고 노드가 플로팅 인 경우 R2 가 차이를 만들 수 있습니다 .
Bimpelrekkie

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@ferdepe 전원을 켤 때 마이크로 컨트롤러 핀에서 오는 것처럼 신호 소스가 플로팅 될 수있는 경우, 마이크로 컨트롤러 초기화 코드로 신호를 구성 할 수있을 때까지 R2는 Q1을 유지합니다.
Tut

답변:


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R2는 플로팅베이스를 방지하는 데 사용됩니다. 레이블 2.8V이 지정된 노드 가 연결되지 않은 경우 정의 된 상태를 제공합니다 . 그것은이다 풀다운 저항 . 알려진 상태로 풀링되지 않은 플로팅 핀은 미니 안테나처럼 작동하며 여러 번 높거나 낮게 플로팅하고 트랜지스터를 임의로 켜고 끌 수 있습니다.

해당 노드가 항상 높거나 낮게 구동되면 R2가 불필요하며 제거 할 수 있습니다. 노드가 마이크로 컨트롤러 GPIO에 연결되어있는 경우 (임시 시작시) 고 임피던스 / 입력으로 이동할 수있는 경우 R2는 마이크로 컨트롤러가 출력 모드로 전환 될 때까지 트랜지스터를 끕니다.

트랜지스터가 실제로 MOSFET 인 경우 R2는 작은 드레인 저항입니다. Mosfets는 방전되지 않은 경우 계속 유지할 수있는 정전 용량을 가지고 있습니다.


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많은 트랜지스터는 수집기에서베이스로 적은 양의 누설 전류를 허용합니다. 트랜지스터의베이스에 아무것도 연결되어 있지 않으면, 그 전류는베이스-이미 터 접합을 0.7 볼트로 바이어스 한 다음 트랜지스터에 의해 증폭되어 접지로 가라 앉은 누설 전류의 총량이 이미 터-베이스 누설 전류가 될 수 있습니다. 트랜지스터의 전류 게인을 곱한 값입니다.

R2를 추가하면 콜렉터베이스 누설에 대한 대체 경로를 제공합니다. R2가 전압이 0.7V 미만으로 유지 될 정도로 충분히 작은 경우 R2를 통해 흐르는 전류는 여전히 컬렉터에서 접지로의 누설을 나타내지 만 증폭되지는 않습니다.

일부 응용에서, 누설 전류의 양 (증폭 된 경우에도)은 불쾌 할 정도로 작을 수 있습니다. 그러나 R2를 추가하면 누설 전류가 수십 배 이상 줄어 듭니다.


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이러한 전압에서 해당 노드를 사용하면 R2가 Q1을 얼마나 세게 켜는 지에 거의 차이가 없습니다.

R1 드라이브를 2.8v 대신 3uA (예 :)로 교체하면 성능이 매우 다릅니다.

실습으로 R1에 필요한 전류를 계산하여

a) 트랜지스터 전도 시작
b) 컬렉터 전압 (Vo)을 1V로 낮추십시오 (전류 게인 100으로 가정)

R2가 존재하고 R2는 생략한다.


미안 표시하지 않았기 때문에 그 포화 ... @Neil_UK의 작품 회로 purpouse에 그
ferdepe

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Neil UK가 말한 것처럼 100K의 R2는 회로에 아무런 영향을 미치지 않습니다. R2는 유용한 풀다운 기능을 제공하며 회로에 남아 있어야합니다. 일반적으로 정전 기적이며 높은 임피던스 특성을 갖는 고 이득 트랜지스터 및 / 또는 누설 pcb 또는 주전원 픽업을 고려하십시오.

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