트랜지스터를 스위치로 연결할 때 왜 2 개의 저항이 필요합니까?

다음 다이어그램에서 R2의 요점은 무엇입니까?

R1이 Base의 전류를 제어한다는 것을 알지만 R2는 무엇을합니까?

R2 저항은베이스의 전압을 알려진 상태로 만드는 데 사용됩니다. 기본적으로 R1 반대쪽에있는 전류원을 끄면 전체 라인이 알 수없는 상태가됩니다. 일부 간섭 간섭이 발생하여 트랜지스터 또는 다른 쪽의 장치의 작동에 영향을 줄 수 있거나 트랜지스터베이스만으로 전압이 떨어지기까지 시간이 걸릴 수 있습니다. 또한 R1을 통과하는 전류 소스가 누출되어 트랜지스터 작동 방식에 영향을 줄 수 있습니다.

풀다운 저항이라고하는 구성의 R2를 사용하면 R1을 포함하는 분기에있을 수있는 과도한 전압이 안전하게 접지로 전달 될 것입니다.

가능한 두 가지 이유가 있습니다.

1. 다른 사람들이 말했듯이 R2는 R1의 왼쪽 끝이 떠있는 경우 풀다운 역할을합니다. 이것은 구동 R1이 높은 임피던스로 갈 때 유용합니다.

2. 전압 분배기. 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 BE 전압은 켜져있을 때 약 500-750mV입니다. 경우에 따라 제어 전압이 트랜지스터를 켜는 데 더 높은 임계 값을 원할 수도 있습니다. 예를 들어, R1과 R2가 같으면 트랜지스터는 R2가없는 전압의 두 배로 켜지 기 시작합니다.

Olin이 언급 한 이유 외에도 R2는 트랜지스터가 빠르게 꺼지는 것을 보장합니다.

스위치가 아닌 소스가 있고 74LS04와 같은 TTL 회로가 있다고 가정 해 봅시다. TTL 회로 (적어도 TI SN74LS04)는 최소 출력 고전압이 2.4V이고 최대 출력 저전압이 0.4V입니다. R1이 1K이고 Vbe "on"드롭이 약 0.6V라고 가정합니다.

그러면 트랜지스터를 켜는 데 1.8mA (= (2.4V-0.6V) / 1K) 전류가 제공되지만 트랜지스터를 끄려면 -0.2mA 만 사용하십시오. 바이폴라 트랜지스터에는 충전 / 방전이 필요한 기생 커패시턴스가 있습니다 (MOSFET과 같은 동작은 아님).

이제 R2 = 1K를 입력하면 Vbe = 0.6V 트랜지스터에서 0.6mA를 끌어 와서 턴온 전류가 1.2mA이고 턴 오프 전류가 -0.8mA가되어 턴 오프 동작이 더 빨라집니다.

그 이유는 스퓨리어스 스위칭을 피하기 위해 풀다운 저항의 역할을하여베이스가 낮게 유지되도록하는 것입니다 (R1을 통해 특정 신호가 없을 때). 다른 이유가 있다면 나에게 뛰어 넘지 않습니다.

다른 사람들이 말하는 것뿐만 아니라 (그리고 부분적으로) 트랜지스터는베이스 이미 터 누설 전류를 생성합니다. R1 개방 회로로 구동하고 R2가 생략되면베이스 플로트가 흐르고 누설 전류는 BE 접합을 가로 질러 전압을 발생시켜 트랜지스터를 켤 수 있습니다. R2는이 전류에 대한 경로를 제공합니다. 전류가 작기 때문에 R2가 클 수 있으며 실제 사용되는 값은 일반적으로 필요한 것보다 훨씬 작습니다. R2가 R1의 에너지와 비교하여 적은 에너지를 소비하는 한, 10 내지 100 킬로 옴 범위의 R2를 갖는 것은 해가되지 않는다.