나는이 회로를 참조 설계에서 시뮬레이션했지만 그것이 어떻게 작동하는지 또는 어떻게 그런 것을 설계하는지에 대해서는 확실하지 않다. 시뮬레이션에서는 최대 25V의 입력 전압 범위에도 불구하고 약 5mA에서 D1을 통해 전류를 일정하게 유지하도록 설계된 것처럼 보입니다.
M1의 게이트 전압이 약 1.6V로 유지되고 입력 전압이 상승함에 따라 BJT의 기본 전압이 상승하는 것을 알 수 있습니다. 전압이 상승함에 따라 BJT를 통한 전류가 증가하므로 조정 가능한 임피던스처럼 작동하여 게이트 전압을 일정하게 유지하는 것 같습니다. 맞습니까?
이것은 당신이 향신료에서 방금 한 일입니까, 아니면 어딘가에 잘 정의되어 있고 그것을 인식하지 못하는 어떤 종류의 전류 미러 회로입니까?
답변:
이 회로는 공급 전압과 무관하게 LED에 일정한 전류를 공급하도록 설계되었습니다.
Q1 콜렉터의 전압에 의해 MOSFET이 켜집니다. R1을 통한 전류 (LED를 통한 것과 동일)가 약 0.6V의 강하를 발생하자마자 Q1이 켜지고 R2를 통해 전류를 전환하기 시작합니다.
그러면 M1 게이트의 전압이 감소하여 M1 및 LED를 통한 전류를 제어합니다.
네거티브 피드백은 약 5mA에서 D1, M1 및 R1을 통한 전류를 안정화시켜 Q1베이스에서 0.6V가됩니다.
공급 전압은 변하지 만 저항을 사용하는 것보다 훨씬 적기 때문에 전류는 약간 달라집니다.
또한 트랜지스터의 Vbe는 ~ 2.2mV / deg 온도 계수를 가지므로 온도에 따라 변합니다.
M1이 MOSFET이 아닌 BJT (예 : 2n2222) 인 경우 동일한 회로를 사용할 수 있습니다. 트랜지스터가 R2로부터 약간의베이스 전류를 필요로하기 때문에 R2의 값이 더 중요 할 것이다.
이것은 전류원에 대한 가장 간단한 회로는 아닙니다. 단일 트랜지스터로 5mA 전류로 LED를 구동 할 수 있습니다.
이 회로도는 간단 할뿐만 아니라, 제너 전압 (일반적으로 2-5 % 허용 오차)에 의존하여 전류 값이 Vbe트랜지스터마다 20 %까지 변할 수 있다는 장점이 있습니다. D온도 보상을위한 추가 다이오드도 있지만, 높은 정밀도 요구 사항이 없거나 실내에서 사용하도록 고안된 장치에서는 제외 할 수 있습니다.
찾은 회로도는 고전류 응용 제품에 더 적합합니다. 부하 쓰루 전류에 의해 결정되기 때문에 Vbe의 Q1그리고 R1, 상기 관통 전류가 Q1작은 경우에 상당한 열 (및 관련 파라미터 드리프트)없이 높은 부하 전류를 얻을 수있다 Q1.
그러나 5mA 애플리케이션의 경우 완벽하게 좋은 N-MOS를 낭비합니다.