2N6027 PUT을 구축하는 방법?

이 질문 과 마찬가지로 프로그래밍 가능한 단일 접합 트랜지스터 (PUT)를 대체해야합니다. 특히, 2N6028 데이터 시트에 설명 된 동작을 에뮬레이트하려고합니다 . 그러나 나는 트랜지스터를 구입하는 대신 일반 트랜지스터로 자신을 만들고 싶습니다.

누군가가 같은 질문을 한 Makezine 포럼 에서이 페이지 를 찾았습니다 . 이것은 회로도를 포함하는 edaboard 의이 페이지로 연결 되지만 OP가 "2 base B1 B2"의 의미 또는 다음 회로도인지 확실하지 않습니다.

는 정확히 특정 트랜지스터가 필요하거나 다른 바이폴라 트랜지스터 (예 : BC548B)로 대체 할 수 있는지 나타냅니다.

이것은 호기심이며, 그것이 기능적인 프로젝트라고 말하지는 않지만 다른 요소로 구성 요소를 구축하려는 데 관심이 있습니다. 나는 무언가를 배울 수 있습니다. 알아낼 수 있기를 기대합니다. Make : Electronics book을 통해 작업 중이며 몇 가지 중요한 시작 실험에서 PUT이 필요합니다. 나는 PUT이 오래되었다는 것을 알고 있지만 호기심에 관심이 있습니다.

또한 Charles Pratt의 "Make electronics"라는 책을 통해 작업하고 있습니다. 또한 실험 10에서 PUT을 우연히 발견했습니다. 이 회로 시뮬레이터 애플릿을 기반으로 icircuit를 사용 하고있는 회로 시뮬레이터 이지만 실제로는 훌륭한 시뮬레이터이지만 PUT 구성 요소를 제공하지는 않습니다.

위의 첫 번째 제안 된 대안 (1 트랜지스터 PNP 및 1 트랜지스터 NPN)을 시도했지만 시뮬레이터에서 신뢰할 수있는 결과를 얻지 못합니다. 일반 트랜지스터가 항상 이상적인 / 시뮬레이션 된 트랜지스터처럼 동작하지는 않습니다.

Paul Scherz의 "실제 발명가 용 전자 책"책을 참조하면 MOSFET N 채널을 사용하여 PUT에 대한 훌륭한 대안을 찾았습니다.

"Mosfet (향상) n- 채널 : 일반적으로 꺼져 있지만 게이트 (G)에서 소스 (S)에 비해 작은 양의 전압이 켜집니다 (큰 드레인 소스 전류를 허용 함). VD> VS로 작동하며 게이트 전류가 필요하지 않으며 스위칭 및 증폭 응용 제품에 사용됩니다.

MOSFET (향상) n 채널의 경우 양의 전압은 PUT의 경우와 같이 소스 (S)가 아닌 게이트 (G)에 있어야합니다.

회로 시뮬레이터 애플릿에서 결과의 인쇄 화면을 가져 왔습니다. 잘 작동하는 것 같습니다.

UPDATE 23/08 : 결국 Charles Pratt의 전자 제품 제조 실험 11에서 PUT을 MOSFET (향상된 n- 채널)로 교체한다는 아이디어는 막 다른 골목이되었습니다. 유효한 대안은 555 타이머입니다. 다음 게시물을 참조하십시오 .

면책 조항 # 1 : _{^{이것은 PUT을 사용한 적이 없으며 연습을 한 책을 읽지 않았기 때문에 귀하의 질문에 대한 직접적인 답변이 아닙니다. 그러나 오실레이터에 대한 과정에 참석했으며 문제에 대한 해결 방법 일 수 있습니다.}}

면책 조항 # 2 : _{^{트랜지스터 기반 솔루션을 요청했습니다. 이 솔루션은 연산 증폭기 기반이지만 충분히 명확합니다.}}

따라서 발진기를 만들기 위해 음의 차동 저항을 갖는 회로가 필요합니다. 이 특성을 갖는 두 가지 주요 유형의 쌍극자가 있으며, I (V) 특성으로 인해 각각 'S'와 'N'이라고합니다.

아래는 두 쌍극자의 차이점을 보여줍니다.

이 쌍극자는 RLC 네트워크로 구성된 수동 쌍극자가있는 발진기를 만드는 데 사용할 수 있습니다. 회로가 진동하기 위해서는 저항이 VI 곡선이 세 지점에서 'S'특성과 교차하는 방식으로 선택되어야합니다.

그러나 문제로 돌아 가기

연산 증폭기를 사용하면 'N'쌍극자를 쉽게 구축 할 수 있으므로 PUT과 동일한 효과를 얻을 수 있습니다.

기능을 설명하기 위해이 회로의 분석은 Op-amp의 3 가지 작동 영역에 대해 별도로 수행 할 수 있습니다. V (I) 특성은 다음과 같습니다.

Op-Amp의 고 이득 영역에서.

Make : Electronics 책을 통해 작업 할 때도 같은 문제에 직면했습니다. 결국 DigiKey에서 2N6027을 구입했지만 그 전에는이 사이트에 표시된 것처럼 몇 가지 BJT를 사용하여 무언가를 얻을 수있었습니다 . encyclobeamia.solarbotics.net/articles/put.html

BJT를 사용하는 동등한 PUT 회로 :

프로그래밍 저항 포함 :

내가 기억한다면, 2N3904 (NPN)와 2N3906 (PNP)을 사용했습니다.

Make Electronics 책을 읽는 다른 모든 사람들을 위해 BC557-B (PNP) 및 BC547-B (NPN) 트랜지스터를 사용하여 작동하게했으며 원래 15k 인 R2를 4.7k로 교체했습니다.

PNP의베이스를 NPN의 콜렉터에 연결하고 PNP의 콜렉터를 NPN의베이스에 연결하기 만하면됩니다. 커패시터와 R1을 PNP의 이미 터에 연결하면 2 개의 저항이있는 게이트가 PNP의베이스가되고 LED는 NPN의 이미 터로갑니다. 첫 번째 이미지는 따라갈 수 있지만 해당 저항기를 긁습니다.

세부 사항에 관심이있는 사람들 에게이 의사 사이리스터가 무엇인지 설명 할 수있는 유일한 괜찮은 링크 인 Alljuncircuits.com의 Unijunction Transistor (UJT)가 있습니다. PUT 섹션으로 스크롤하십시오.

위의 질문 과이 페이지의 질문 # 5에 주어진 회로 에서 회로는 모노 플롭처럼 작동합니다. 12V에서 BC546B와 BC547B로 시도했습니다. TP1의 전압은 전원을 켤 때 0V에서 약 1로 증가합니다. 11V가되면 의사 -PUT이 트리거되고 TP1의 전압이 약 0.8V로 떨어집니다. 재설정되지 않습니다.

R3에 대해 15E, 150E 및 1k5를 실험했습니다. '플로팅'베이스 콜렉터에서 접지 및 + 12V에 1M, 560k 연결 => 회로는 모노 플롭 상태를 유지합니다. R3은 <100E 여야합니다.

힌트, 팁?

나는이 페이지 http://encyclobeamia.solarbotics.net/articles/put.html 를 찾았 습니다. 'Make : Electronics'책의 118 페이지에있는 첫 번째 회로에서 PUT을 대체하는 데 사용할 수있었습니다. https://vine.co/v/h3eLm7x1qhp

2N6027을 2N3904 및 2N3906으로 바꾸고 R2 = 10k 및 R1 = 27k를 사용하십시오. LTSPICE와 브레드 보드에서 작동합니다. 4 초 후에 10uF 및 670k LED 사용이 1 회 깜박입니다. 0.25Hz. 그리고 6V가 아닌 9V 전원을 사용하십시오.

연산 증폭기와 관련하여 몇 가지 질문과 관련없는 정보가 많이 있습니다.

1. BC547A를 BC548B 대신 사용할 수 있습니까? 예 ..... BC548B (NPN)는 hFE가 훨씬 많고 BC547A는 항복 전압이 훨씬 높습니다.
2. B1 B2 지정은 더 이상 사이리스터 용어 인 Gate G 및 Cathode K를 위해 사용되지 않습니다.

코멘트:

1. 2N6027은 2N6028만큼 민감하지 않습니다 (예 : 1uA vs 0.1 uA이므로 더 높은 hFE가 더 민감합니다)
2. 가장 좋은 부품 사양은 Philips BRY39 4 핀 PUT 장치 일 수 있습니다.

나는 40 년 전에 전 세계의 금속 접점에 연결된 신시사이저 주파수를 손가락을 통해 풀업 저항으로 작용하는 합성기 주파수를 게이트 네트워크로 전 세계의 많은 PUT, 캡 및 스피커로 변경 한 테라 민 유리 공을 만졌 음을 기억합니다. 이완 발진기. 음극 (K)의 접지에 20ohm 저항을 통해 덤프 된 전력은 Vo로 지정됩니다. 캡을 방전하는 동안 펌핑됩니다. 그것은 거의 popoises처럼 들렸다.