역 활성 작동 모드의 BJT

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BJT 트랜지스터의 경우, 이미 터 단자가 공통 이미 터 증폭기 회로에서 이미 터로 컬렉터 및 컬렉터로 취급되는 경우 어떻게됩니까?

transistors amplifier bjt

— 라비 우파 디
소스

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짧은 답변

작동하지만 (베타) 가 낮습니다. $\beta$

왜?

BJT는 두 개의 pn 접합 ( npn또는 pnp)으로 구성되므로 언뜻 보면 대칭입니다. 그러나 도펀트의 농도와 영역의 크기 (그리고 더 중요한 : 접합 영역)는 세 영역에서 다릅니다. 따라서 단순히 최대 잠재력으로 작동하지 않습니다. (반전 레버 사용)

BJT에 대한 위키 : 특히 섹션 Structure과 reverse-active작동 모드를보십시오

대칭성의 결여는 주로 이미 터와 컬렉터의 도핑 비율에 기인합니다. 이미 터는 심하게 도핑되는 반면 콜렉터는 약하게 도핑되어 콜렉터-베이스 접합이 고장 나기 전에 큰 역 바이어스 전압을 적용 할 수 있습니다. 콜렉터-베이스 접합은 정상 작동시 역 바이어스됩니다. 이미 터가 심하게 도핑 된 이유 는 이미 터 주입 효율을 높이기 위해서이다. 이미 터에 의해 주입 된 캐리어 대베이스에 의해 주입 된 캐리어의 비율. 높은 전류 게인의 경우 이미 터-베이스 접합에 주입 된 대부분의 캐리어는 이미 터에서 와야합니다 .

또 다른 참고 사항 : 고전적인 BJT는 선형으로 3 개의 영역을 쌓아서 만들어 지지만 (왼쪽 그림 참조) 표면 (MOS) 기술로 실현 된 현대 바이폴라도 수집기 및 이미 터의 모양이 다릅니다 (오른쪽) :

^{왼쪽에는 전통적인 BJT, 오른쪽에는 MOS 기술의 BJT (두 트랜지스터가 동일한 다이에 사용되는 경우 Bi-CMOS라고도 함)}

따라서 행동이 훨씬 더 영향을받습니다.

— clabacchio
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경고 : 대부분의 트랜지스터는 몇 볼트의 Vbe 역 항복으로 지정됩니다. 따라서 NPN의 경우 이미 터 아래의베이스를 5 또는 6V 낮추면 부품이 손상 될 수 있습니다. Vbe 역 항복 abs 최대 값이 2N3904, 2N4401,-> 6V 인 트랜지스터를 확인했습니다. BC548, 2N5087, 2N4403, bc807-> 5V. 그러나 일부 RF 트랜지스터는 더 낮습니다. MMBT918은 최대 3V, MPS5179는 최대 2.5V입니다.

— Jason S

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그의 대답에서 clabacchio가 놓친 것은 BJT의 역 모드가 일부 회로도에 유용 할 수 있다는 것입니다.

이 모드에서 BJT는 포화 전압이 매우 낮습니다. 여러 mV가 공통 값입니다.

이 동작은 과거에 포화 전압이 장치의 정확도를 결정하는 아날로그 스위치, 차지 펌프 등을 만드는 데 사용되었습니다.

이제 MOSFETS가 이러한 애플리케이션에 사용됩니다.

누군가 실험을 원한다면 모든 BJT가 역 모드에서 작동하지는 않습니다. h21e를 측정하여 다른 유형을 시도하십시오.

그러나 모델이 적합하면 h21e는 5..10보다 클 수 있습니다. 이는 꽤 좋은 값입니다. BJT를 포화 상태로 만들려면 Ic / Ib는 2..3이어야합니다.

— 존 파운드
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