트랜지스터 스위치에서 킥백 다이오드를 어디에 두어야합니까?


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트랜지스터로 유도 부하를 구동 할 때 킥백 다이오드를 사용합니다.

내가 이해하는 것은 킥백 다이오드가 유도 전하가 방전되는 경로를 제공한다는 것입니다. 또한 인덕터는 전류의 변화에 ​​저항하고 전류가 끊어진 경우 (예 : 트랜지스터가 꺼지는 경우)와 동일한 방식으로 전류를 공급하는 전압 소스와 같은 것으로 변합니다. ).

아래 회로에는 킥백 다이오드의 두 가지 배치가 있습니다. D1은 논리적으로 배치되어 L1의 전하가이를 통해 방전되어 Q1의 컬렉터가 과전압 또는 고장으로부터 보호됩니다.

그러나 D2가있는 두 번째 회로는 나에게 의미가 없습니다. D2가 역 바이어스되면 어떻게 손상을 방지 할 수 있습니까? 나는이 구성을 거의 보지 못했지만 Lenze 드라이버 회로도에서 보았으므로 이해할 수 없었습니다.

D2는 유도 반동으로 인한 손상을 어떻게 방지합니까?

킥백 다이오드 구성


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D2가 제너가 아니 었습니까?
Federico Russo

아니, 정상적인 실리콘 다이오드였습니다.
abdullah kahraman

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이것이 내가 과거에 대답 한 것의 속임수라는 것이 거의 확실하다. 아, 여기있다 : electronics.stackexchange.com/questions/26944
markrages

참고 사항 : 1N4001 은이 응용 프로그램의 경우 약간 느립니다. 나는 보통 1N4148을 봅니다.
jippie

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@jippie : 1N4001은 1N4148보다 훨씬 더 많은 전류를 처리 할 수 ​​있습니다. 1N4001은 실제로 느리게 꺼지지 만, 다이오드가 더 이상 전도되지 않도록 충분히 긴 오프 타임 후에 만 ​​인덕터를 켜는 경우에는 문제가되지 않습니다. 주어진 제한된 정보에서, 표시된 다이오드가 부적절하고 1N4048이 더 나을 것이라고 말할 수 없습니다.
Olin Lathrop

답변:


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제 1 회로 (D1)는 유도 반동을 안전하게 처리한다는 점에서 정확하다.

두 번째 회로는 그 자체로는 의미가 없습니다. Federico가 지적했듯이 D2는 제너라면 반동 전류에 안전한 경로를 제공 할 수 있지만 제너로 표시되지는 않았으며 1N4001은 제너가 아닙니다.

L2가 단순한 인덕터 이상이고 외부에서 역방향으로 구동 될 수 있으면 D2가 의미가있을 수 있습니다. 예를 들어 모터 권선 인 경우에 해당됩니다. 이 경우 D2는 음의 전압을 클리핑하여 Q2에 손상을 줄 수 있지만 트랜지스터가 꺼질 때 유도 반동을 안전하게 제한하지는 않습니다.


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제너 구성은 전류가지면을 통해 공급 장치로 다시 이동하여 더 큰 루프를 생성하고 스위칭 전류가 충분히 높은 경우 상당한 접지 바운스를 생성 할 수 있습니다. D1을 사용하는 첫 번째 회로는 매우 작은 루프 영역을 다루지 않고 접지를 통해 전류가 흐르고 있습니까?
abdullah kahraman

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@abdullah : 전류가 흐르는 곳은 맞지 만 트랜지스터가 꺼지기 전에 동일한 전류가 원래 트랜지스터를 통해 접지되기 때문에 제너와 함께 많은 접지 바운스가 발생하지 않아야합니다.
Olin Lathrop

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@OlinLathrop : 코일에 플라이 백 다이오드를 사용하면 트랜지스터가 꺼질 때 공급 및 접지 전류가 거의 "즉시"떨어지지 않기 때문에 그림과 같이 제너를 사용하면 실제로 접지 바운스 및 공급 방해를 줄여야합니다. 인덕터의 에너지가 소산됨에 따라 접지로 연결된 제너 (Zener)는 아무 것도 감소하지 않습니다. 반대로, 그 시간 동안 공급되는 모든 공급 전류는 제너에서 소산 (폐기)되어야하는 추가 에너지를 나타냅니다.
supercat

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한 가지만 지적하면됩니다.

D1이 없다고 가정합니다. 당신은 썼습니다 :

이전과 같은 방식으로 전류를 공급하는 전압 소스와 같은 것으로 전환

V=나는

Q1의 수집기와 접지 사이에 존재하고 충전하는 도면). 이 기생 용량은 매우 작지만 매우 실제적입니다. 0으로 만들 방법이 없습니다. 회로도에는 표시되지 않지만 단순화 된 회로도이기 때문입니다. 실제 회로도에는이 실제 기생 용량과 더 많은 것들이 표시되어야합니다. 이제 충전 중으로 돌아갑니다. 매우 작은 정전 용량이기 때문에 (1pF보다 훨씬 낮을 수 있음), 이는 작은 전류라도 로 인해 매우 빠르게 그리고 최대 볼트까지 충전 할 수 있음을 의미합니다.V=1나는·

여기에 이미지 설명을 입력하십시오


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어떤 형태의 보호가 필요한 이유를 설명합니다. 그러나 D1이 어떻게이를 달성하는지 설명하지 않으며 D2 솔루션에 대해서도 이야기하지 않습니다.
Federico Russo

@FedericoRusso 그는 내가 쓴 한 가지가 잘못되었음을 지적합니다. 텔라 클라 보 당신 말이 맞아요, 내가 틀렸다는 걸 알았어요 답변 주셔서 감사합니다, 그것이 기생 용량을 통해 흐르는 몰랐어요.
abdullah kahraman

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"멀티 코어 머신"유추의 한 가지 문제점은 컴퓨터가 단방향 원인 / 효과 관계를 구현한다는 것입니다. 인덕터는 플라이휠과 비슷합니다 (전류 == 속도 및 전압 == 토크). 샤프트에 토크를 적용하면 속도가 변경되고 샤프트 속도를 변경하려는 외부 노력으로 인해 인덕터가 연속적인 양방향 원인-효과 관계에서 토크를 적용하게됩니다.
supercat

트랜지스터와 관련된 기생 캐패시턴스가 없었더라도, 좋은 인덕터가 되려고 노력하는 부지런한 인덕터에 의해 개발 된 큰 전압 스파이크는 전압과 마찬가지로 쉽게 "꺼진"상태로 분해 될 수있다. 반도체 내부를 바이어 싱하고, 전류가 "타 측으로 침입"하게하고 (I ^ 2) * R이 거기에서 물건을 요리하게한다. 전압만으로도 절연성있는 반도체 접합부가 무너질 수 있다고 말함으로써 단지 nitpicking입니다. 그들은 아마도 서로 협력하여 서로 가난한 Q1을 날려 버릴 수 있습니다. 두 개의 트랜지스터 테러

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카운터 emf 동안 다이오드가 전도하기 때문에. 카운터 emf 전압은 적용된 전압과 반대이므로 해당 순간 다이오드가 순방향 바이어스로 들어갑니다. 어느 쪽이든 괜찮습니다. 두 번째 방법은 일반적으로 tip122 트랜지스터와 같은 코일 드라이버 트랜지스터에서 회로를 표현하는 데 사용됩니다

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