누군가 가이 마이크로 컨트롤러 ADC 인터페이스를 설명 할 수 있습니까 (태양 전지판 전압 읽기 용)?

TIDA-00121 에있는 회로의 기능을 이해하려고합니다 ( 여기 에서 디자인 파일을 다운로드 할 수 있습니다 )

PV가 접지에 직접 연결되어 있지 않다는 사실과 관련이 있다고 가정합니다 (태양 전지판 전압이 너무 낮아서 역전 류가 패널에 흐르지 않도록 역전 류 MOSFET이 꺼질 수 있음)

전송 기능 ( 소스 코드에서 )에 대해 마이크로 컨트롤러 측의 전압은 다음과 같습니다.

V = 0.086045Pv-0.14718475V (PV는 패널 전압).

이것은 Vref = 2.39,10 비트 ADC와 소스 코드 방정식이라는 사실에서 추출되었습니다.

패널 전압 = 36.83 * PV-63

소스 코드에서 내 가정을 확인하려면 다음을 수행하십시오.

배터리 전압 = BV * 52.44

배터리 전압 분배기의 마이크로 컨트롤러 측 전압을 생성합니다.

전압 분배기 배급 인 V = 0.122BV (14K / 100K 네트워크)

질문은 ~이야:

1. pnp 트랜지스터 네트워크의 역할은 무엇입니까?
2. 마이크로 컨트롤러 측에서 전압의 전달 함수를 계산하는 방법은 무엇입니까?

대단히 감사합니다.

pnp 트랜지스터 네트워크의 역할은 무엇입니까?

차동 전압-전류 변환기와 부하 (R34 및 R35)입니다. P +와 P- 사이의 전압은 R31의 전압을 설정합니다. 이 값 (0.7V 마이너스)은 R33에 전압을 설정하여 전류가 컬렉터 밖으로 흐릅니다 (콜렉터의 부하에 관계없이).

R33, R34 및 R35의 값이 주어지면 R33에 설정된 모든 전압이 R35에 나타나지만 3 : 1 감소합니다.

중요하게도,이 전압은 접지 기준이므로 ADC가 이해하기에 적합합니다. 레벨 이동이 포함됩니다.

나는이 회로를 사용하는 목적에 여전히 혼란 스럽다. MOSFET의 내부 다이오드 (Q1) 연결은 태양 전지판 접지와 동일하다고 생각했습니다 (전압 판독 값은 패널의 전압에서 Q1의 다이오드 전압 강하를 뺀 값과 같습니다).

시스템이 작동 중이지만 시스템이 작동하지 않는 경우에도 마찬가지입니다.

시스템을 리버스 엔지니어링하고 차동 측정이 필요한 프로세스를 설명하려고했습니다.

이 시스템은 고전력 레벨에서 고효율을 위해 명확하게 설계되었으므로 전력 경로의 모든 스위칭 장치는 N 채널 mosfets이므로 효율이 떨어지는 다이오드 및 P 채널 mosfets를 피할 수 있습니다.

블록 다이어그램은 패널과 배터리 사이의 벅 컨버터를 보여줍니다. http://www.ti.com/diagrams/rd/schematic_tida-00121_20140129112304.jpg . 이 벅 컨버터는 Q2, Q3 및 L1에 의해 형성되는 것으로 보입니다.

문제는 Q2의 바디 다이오드로 인해 패널 전압이 배터리 전압 아래로 떨어지면 벅 컨버터가 역 공급을 방지 할 수 없다는 것입니다. 이 백 피딩을 차단해야합니다.

물론 백 피딩을 방지하기 위해 다이오드 또는 P-fet을 사용할 수는 있지만 비효율적입니다. 높은 쪽에서 N-Fet을 사용할 수 있지만 하이 사이드 드라이버 칩이 필요합니다. 그래서 그들은 낮은 쪽 (Q1)에서 N- 모 피트를 사용하여 역류를 막기로 결정했습니다.

Q1을 끄면 백 피드가 차단되지만 패널이 더 이상 접지되지 않습니다. 정상 작동 중 P-는지면에 있지만 빛이 부족하여 시스템을 끄는 경우 P-는지면보다 높을 수 있습니다. 시스템이 꺼져있을 때 패널 전압을 모니터링 할 수 있으면 여전히 유용합니다.

따라서 차동 회로는 먼저 차동 전압을 전류로 변환 한 다음 해당 전류를 다시 단일 종단 전압으로 변환하여 패널 전압을 읽는 데 사용됩니다.