오픈 드레인 대 오픈 컬렉터

Open Drain과 Open Collector 출력간에 실질적인 차이가 있습니까? 아니면 용어가 상호 교환 적으로 사용됩니까? 그들이 실제로 다르다면, 각각 유리한 맥락은 무엇입니까? 필자의 직감은 기능적으로 동일하지만 Open Drain은 FET 기술로 구현되고 Open Collector는 BJT 기술로 구현됩니다.

맞습니다. 오픈 컬렉터는 BJT, 오픈 드레인 (C) MOS입니다. 전류로 인해 전압 강하보다 약간 높을 수있다 낮은 BJT의 포화 전압이다 논리 회로에서 는 FET를 들어,하지만 여전히 훨씬 것이다 로직 로우의 최대 전압보다 낮은 .$R_{DS(ON)}$

예외 : TTL 오픈 콜렉터 출력을 초 저전압 CMOS와 인터페이스하기위한 레벨 시프터로 사용할 수 없습니다. 이 인버터 는 0.8 V의 낮은 Vcc에서 작동 할 수 있으며, 데이터 시트는 0.25 Vcc의 최대 낮은 레벨, 즉 0.2 V를 제공합니다. 오픈 컬렉터는 그보다 높은 전압 강하를 갖습니다. ( 이 장치 는 0V의 최대 저레벨 입력 전압을 지정하기도하므로 불가능합니다.)

note 참고
유선 ORing (생각 I2C) 외에도 개방 드레인 / 콜렉터는 종종 로직과 다른 전압, 더 높은 전압에서 작동하는 것을 제어하는 ​​데 사용됩니다. FET가 고전압을 견딜 수 없기 때문에 일부 저전압 로직 제품군에서는 더 이상 불가능합니다. 따라서 일부 제품군 에는 출력 FET를 보호하기 위해 클램핑 다이오드가 내장되어 있습니다.