트랜지스터의 콜렉터 또는 이미 터에 부하 연결

28

트랜지스터를 스위치로 설정할 때 콜렉터 또는 이미 터에 부하를 가하는 것 사이에 차이가 있습니까?

내가 알 수있는 한 Vbe를 계산하는 것, 즉 부하의 전압 강하로 인해 트랜지스터를 포화 상태로 만드는 데 필요한 전압을 계산하는 것만 다릅니다.

transistors

— 폴 설리반
소스

실제로 이미 터 팔로워 구성 (이미 터에로드)에서 트랜지스터는 포화되지 않습니다. 턴 오프 속도가 중요한 경우 이점이 될 수 있습니다.

— Olin Lathrop

27

가장 중요한 차이점은 공통 수집기 (이미 터 측에 부하가있는 수집기)의 경우 더 높은 구동 전압이 필요하다는 것입니다. 공통 이미 터의 경우 0.7V로 충분하지만 공통 컬렉터의 경우 전압은 0.7V + 부하의 전압이어야합니다.

부하가 12V 릴레이이고 컬렉터에 12V를 공급한다고 가정합니다. 5V 마이크로 컨트롤러로 제어하려면 최대 5V가베이스에 공급할 수 있습니다. 이미 터는 0.7V 낮아지고 4.3V로 릴레이를 활성화하기에는 너무 낮습니다. 더 이상베이스 전류가 없기 때문에 전압이 높아질 수 없습니다. 따라서 부하 전압이 제어 전압보다 높으면 커먼 컬렉터를 사용할 수 없습니다.

또한 기본 전류를 계산하는 방법도 다릅니다. 베이스에 5V를 적용하고 이미 터 측의 부하가 100Ω이고 트랜지스터의 가 150이라고 가정합니다. 전류가 4.3V / 100Ω = 43mA 일 것으로 예상 할 수 있습니다. 그렇지 않습니다. 의베이스 전류 150 발생할 100 Ω 저항하지 통해 . 따라서 생성 된 전압 = 150 100 Ω. 베이스 전류에 의해 보여지는 저항은 $h_{FE}$ $I_B$ $\times$ $I_B$ $I_B$ $V_E$ $\times$ $I_B$ $\times$ . 그래서 100 Ω 저항 만의베이스 전류의 원인이됩니다 ${R_E}^{'} = \frac{V_E}{I_B} = \frac{150 \times I_B \times 100 \Omega}{I_B} = 150 \times 100 \Omega = 15 k\Omega$
= 290 μA. $\frac{5V -0.7V}{15 k\Omega}$

그렇기 때문에 공통 컬렉터 구성에 기본 저항이 필요하지 않은 경우가 많습니다. 당신은 할 부하가 예를 들어 LED로 구성되어 있다면 비록이가 더 많거나 적은 일정한 전압 강하의 원인이됩니다 저항에 반대하기 때문에, 하나가 필요합니다.

— 스티븐
소스

다시 한번 @stevenvh-간결한 예제 시나리오와 풍부한 경험으로 가득 차 있습니다.

— 폴 설리반

마지막 단락에 대한 사소한 설명 : 공통 콜렉터 구성 ( 이미 터 팔로워 라고도 함 )에서 저항기는베이스가 아니라 이미 터와 직렬로 연결됩니다. 이미 터의 출력은 전압 소스처럼 보이므로 다른 전압 소스에서 LED를 구동 할 때처럼 전류를 예측할 수 있도록 LED와 직렬로 연결된 저항이 필요합니다.

— Olin Lathrop

7

당신은 기본적으로 맞습니다. 주요 차이점은베이스에서 이미 터로 전압 / 전류를 계산하거나 생성하는 방법에 있습니다.

일반적으로 이미 터는 전원 또는 접지 레일, 안정적인 전압에 연결되어 일을 더 쉽게 만들 수 있지만 다른 곳에 연결할 수없는 이유는 없습니다.

MOSFET에도 비슷한 사항이 적용됩니다.