데이터 시트에서 SPICE 모델을 어떻게 구성합니까?

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SPICE 모델을 온라인으로 찾으려는 시도가 결실을 맺지 않은 구성 요소를 찾고 있습니다. 그러나 온라인 참조를 위해 사용 가능한 구성 요소의 데이터 시트가 있습니다. 구성 요소의 SPICE 모델은 아마도 데이터 시트의 내용을 사용합니다.

그렇다면 데이터 시트를 참조 할 수있을 때 어떻게 SPICE 모델을 구성합니까? LTSpice를보고 있습니다

구성 요소에 따라 일반적인 방법은 기본 요소 (트랜지스터, 다이오드) 또는보다 복잡한 구성 요소 (Opamp, 레귤레이터 등의 IC)에 .MODEL 카드를 사용하는 것입니다. 요소) 또는 행동 모델 (공식을 사용하여 행동을 추정)

이것은 매우 빠르게 복잡해질 수 있으며, 얼마나 복잡하게 시뮬레이션해야하는 구성 요소에 따라 얼마나 복잡한 지, 구성 요소 유형에 대한 자세한 지식이 필요하므로 어떤 데이터 시트 매개 변수가 중요한지, SPICE 매개 변수로 어떻게 변환되는지 등을 알 수 있습니다.

LTSpice에서 알아야 할 매개 변수 유형의 예를 보려면 LTSpice의 LTSpice-> 회로 요소-> 바이폴라 트랜지스터 아래에서 Gummel-Poon 매개 변수를 확인하십시오.
복잡해 보이지만 대부분의 경우 기본값을 사용하고 Bf (베타), Vje (전압), Cje (기본 이미 터 캐패시턴스), Cjc 등과 같은 기본 사항을 변경할 수 있습니다. 다양한 모델을 보는 것이 도움이됩니다. 그것은 LTSpice와 함께 사물에 대한 아이디어를 얻습니다.

이 도움말은 많은 유용한 정보를 제공하므로 자세히 읽으십시오. 또한 "PSPICE를 사용한 회로 시뮬레이션 안내서"는 모델 매개 변수에 대한 토론이 포함 된 반 정도의 책입니다. 또한, 모델에 대한 정보를 원하시면 구글, 당신은 충분히 찾아야한다 - 예를 들어, 여기 에 Gummel - 풍 모델과 사용 방법에 대한 훌륭한 문서입니다.

다음은 MOSFET에 대한 .model 문을 작성하는 방법에 대한 매우 유용한 자습서입니다. http://www.simonbramble.co.uk/lt_spice/ltspice_lt_spice_tutorial_6.htm

여기에 약간의 추가 정보를 제공하기 위해 컴포넌트 모델을 작성하는 두 가지 경로가 있습니다. 하나는 .subsckt문장을 사용 하고 다른 하나는 문장을 사용합니다 .model.

MOSFET과 같은 기본 구성 요소의 경우 .model명령문 을 사용하는 것이 좋습니다 . MOSFET의는 템플릿 문으로 모델링 할 수 .model XXXX VDMOS(Rg= Rd=5 Rs=1 Vto= Kp= Cgdmax= Cgdmin= Cgs= Cjo= Is= Rb= )있는 매개 변수는, Rg, Rd, Rs등의 데이터 시트 및 기타 향신료 파일에서 확인할 수 있습니다.

예를 들어, 명령문에 의해 정의 된 모델이있는 Fairchild FDS6680A MOSFET이 .model FDS6680A VDMOS(Rg=3 Rd=5m Rs=1m Vto=2.2 Kp=63 Cgdmax=2n Cgdmin=1n Cgs=1.9n Cjo=1n Is=2.3p Rb=6m mfg=Fairchild Vds=30 Ron=15m Qg=27n)있습니다.

구성 요소의 의미에 대해 명확해야합니다. Spice는 기본적으로 트랜지스터 회로 요소를 모델링하므로 자신의 "C"모델을 (모든 버전에서 가능하지는 않음) 모델에 삽입 할 수 있지만 SPICE가 모델을 올바르게 만드는 방법을 이해해야합니다. 보다 복잡한 장치의 경우 매크로 모델을 사용하거나보다 현대적인 추세는 Verilog-A를 사용하는 것입니다.