저렴한 멀티 미터로 10G 저항 이상의 전압 강하 결정


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3V 배터리와 직렬로 연결된 두 개의 10G 저항이 있습니다. 둘 중 하나의 전압 강하를 결정하고 싶습니다. 물론 1.5V입니다. 멀티 미터를 사용하여 전압 강하를 확인하면 ~ 3mV를 읽습니다 .10m 임피던스를 가지고 있기 때문에 회로는 실제로 하나의 10G 저항 (10G 저항 및 10M 저항 병렬)과 직렬이므로 멀티 미터가 회로의 일부일 때의 전압 강하는 2.99mV입니다.

개략도

이 회로 시뮬레이션CircuitLab을 사용하여 작성된 회로도

전압 강하를 어떻게 측정 할 수 있습니까? 멀티 미터 임피던스를 회로에 큰 영향을 미치지 않을 정도로 충분히 높게 조정할 수 있도록 구축 할 수있는 것이 있습니까?


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1993 년 ED 기사 "어떻게이 펨토 암페어 물건은 무엇입니까?" 로버트 피즈 말기
Spehro Pefhany

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내가 물어 보면 왜 그런 회로가 필요할까요? 부착 된 모든로드는 멀티 미터와 동일한 효과를 나타냅니다.
Huisman

매우 낮은 전류로 갈 수있는 전류계를 만들려고 시도한 @Huisman. 나는 매우 낮은 전류원을 원하고 그것을 측정하려고합니다. 10G 저항 (또는 그 이상)을 통과하기 전에 전압을 먼저 나누면 실제 전압 강하가 내가 기대하는 것임을 측정하는 것이 특히 유용합니다.
존 스미스

전류계가있는 곳 (원본 게시물의 편집기에서 회로도 버튼을 눌러) 회로도를 그릴 수 있습니까? 예를 들어 10k 포트로 전압을 나누고 10G 저항이있는 분기를 전류계에 연결하는 것이 좋습니다.
Huisman

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그림과 같이 디바이더가 150pA를 통과하는 것처럼 보입니다. 그 시점에서 측정을 망칠 수있는 더 많은 것들이 있습니다. 펨토 앰프의 정밀도가 필요하지는 않지만 fA 정확도를 보장하기 위해 수행하는 작업을 확인하는 것이 좋습니다.
W5VO

답변:


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고대인들이하는 일을 ==== 휘트 스톤 다리를 사용하십시오. 이렇게

개략도

이 회로 시뮬레이션CircuitLab을 사용하여 작성된 회로도

ZERO 판독을 위해 10,000ohm 전위차계를 회전시킵니다.

그런 다음 포트 전압을 측정하고 DVM 로딩을 보정하십시오.


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영리한 대답이므로 +1하십시오. 교정하려면 R3을 다른 10G 저항 세트로 교체하면 DVM을 0으로 설정할 수 있습니다.
Sparky256

DVM 리드에서 외부 Efield 또는 Hfield의 충돌 불균형이 잔차 오류 일 수 있습니다.
analogsystemsrf

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이 경우 미터 와이어에서 멀리 떨어져있는 것이 좋습니다. 가능한 한 짧아야합니다. 금속 케이지가 더 좋습니다. 10G 옴에서는 매우 민감한 질량 검출기가 있습니다. 충전 된 물체가 가까이 있으면 판독 값에 영향을줍니다.
Sparky256

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입력 바이어스 전류가 매우 낮은 FET 연산 증폭기로 제작 된 전압 팔로워

https://www.mouser.co.uk/ 반도체 / Amplifier-ICs / Operational-Amplifiers-Op-Amps / _ / N-4h00g? Rl = 4h00gZgjdhpmZ1yvbz5oZ1yve6dbSGT


단일의 낮은 입력 바이어스 전류 팔로워를 사용하는 것으로 충분합니까 (즉, 테스트중인 회로를 직접 프로브하는 2 번째 멀티 미터 프로브 중 하나에 만 사용) 아니면 2가 필요합니까?
John Smith

펨토 앰프 입력이있는 CMOS 연산 증폭기는 이러한 유형의 장치에 이상적입니다.
Sparky256

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누설이없는 커패시터 **를 얻을 수있는 경우 각 저항에 하나씩 걸 수 있습니다. DC로 작업하고 있으므로 회로를 몇 주 동안 안정화시킨 다음 PEAK 전압을 측정하십시오. 필요한 커패시턴스는 시정 수 RC가 몇 초가되어야하며, 여기서 R은 멀티 미터의 부하 저항입니다.

** 나는 그러한 구성 요소의 출처를 모른다. 당신이 하나를 얻는다면, 그것을 만지거나 호흡하지 않는 것이 좋습니다. :-)

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