디커플링 커패시터 접지 패드를 오실로스코프 프로브의 접지로 사용할 수 있습니까?

짧은 접지 스프링 클립 부착을 사용하여 오실로스코프로 프로브하고 디커플링 커패시터의 접지 패드를 접지로 사용하는 경우 커패시터를 통해 접지로 이동하는 전류에 의해 측정이 전혀 중단됩니까? 아니면 최고 정확도에 필요한 최상층 접지 부의 테스트 포인트 패드와 같은 것이 있습니까? IC에서 핀을 조사하고 그림과 같이 로컬 디커플링 캡 접지 패드를 접지로 사용한다고 가정하면이 측정에 캡의 노이즈가 없습니까? 그렇지 않다면 이것을 수행하는 가장 좋은 방법은 무엇입니까? 감사.

일반적으로 빠른 신호를 프로빙 할 때 루프 영역을 최소화하려고합니다. 따라서 경험상 루프 영역을 최소화하는 접지 연결을 선택해야합니다.

이제 이것은 일반적입니다. 커패시터 접지를 사용해야 할 이유가있을 수 있습니다. 이것은 접지면의 공진 때문입니다. 접지 주파수는 모든 주파수에서 0 볼트가 될 수 없습니다. 다음과 같이 보일 것입니다 :

출처

이것은 특정 주파수에서 접지면의 전압을 보여줍니다. 더 나쁜 것은 IC의 전력 소비에 따라 동적으로 변경 될 수 있다는 것입니다. 공진 모드 근처에서 접지 참조를 선택하면 접지 평면 참조가 공진 주파수에서 진동하기 때문에 고주파 노이즈가 프로브에 유입 될 수 있습니다.

커패시터를 분리하는 것은 전력면에서 공명을 억제한다는 것입니다. 실제로 이것은 작동 주파수 근처에서 원치 않는 공진 모드를 방지하는 방법입니다. 그러나 이것은 모두 평면의 기하학, 커패시터의 값 (더 작을수록 좋음), IC의 전력 소비, IC의 주파수 등에 달려 있습니다.

따라서 그것은 모두 특정 상황에 달려 있습니다. 내가 말했듯이 일반적인 첫 번째 접근 방식으로 루프 영역을 최소화하십시오.

이 패드를 사용하는 것으로 가정합니다.
그러나 5ns 미만의 상승 시간을 볼 경우 예상되는 상승 시간과 링잉 오류가 프로브에서 발생할 수 있습니다.

잘못된 선택 gnd를 분석하기위한 기준. V = LdI / dt이다. f-3dB = 0.35 / dt (10 ~ 90 %)이고 L = ~ 0.5nH / mm 인 경우 관측 된 구형파 상승 시간의 공유 접지 전류 거리입니다. 또한 프로브 커패시턴스는 프로브 스프링 길이를 포함하여이 L에서 공진 주파수를 발생 시키며, 짧게 유지하면 200MHz BW에 대한 평탄한 응답을 허용해야하며, 많은 우수한 Z10M 프로브의 한계가됩니다. 반대로 긴 접지 클립 와이어가있는 일반적인 200MHz 프로브는 접지 클립의 L 및 프로브 커패시턴스로 인해 30MHz 근처에서 공진합니다.

이 외에도 50 Ohm AC 프로브가 가장 잘 작동하고 50 Ohm 지오메트리의 신호 폭 대 gnd 간격의 비율이 0.5에 가까우며 길이가 관련이없는 지오메트리를 더 잘 이해해야합니다. 이것은 병렬 공진의 Q를 줄이고 BW를 GHz 범위로 확장합니다.

일반적으로 DFT를 사용하는 우수한 설계는 직접 동축 연결 또는 높은 Z 스프링 프로브를위한 AC 커플 링 50Ω 부하가있는 Vdd를 포함하여 중요한 테스트 신호에서 짧은 스프링 프로브 접점에 대해 테스트 지점이 쌍을 이룹니다. 이는 50 Ohm AC 결합 부하를 사용하여 비교하기 위해 소스 및 부하에서 공급 리플을 정확하게 측정하는 바람직한 방법입니다. > 1GHz BW를 원할 경우 높은 주파수 고품질 동축 케이블을 사용하여 전력 부하를 방지하기 위해 AC 모드의 DSO 또는 SA 입력에서 50Ohm을 선택하는 것이 이상적입니다.