쇼트 키 트랜지스터, 잘 모르겠습니까?

그래서 저는 디지털 컴퓨터 전자 책 을 훑어 보았습니다 . 그리고 이것에 왔습니다 ... 너무 간단 해 보이고 그것의 "지점"을 이해하지만, 그것이 어떻게 작동하는지 정확히 모르겠습니다. .

쇼트 키 트랜지스터에서 쇼트 키 다이오드는 트랜지스터가 포화되기 전에베이스에서 콜렉터로 전류를 분로한다.

나는이 부분이 나를 혼란스럽게 생각합니다 ^^^

http://en.wikipedia.org/wiki/Schottky_transistor

내가 수집 한 것에서 쇼트 키 다이오드의 순방향 전압은 .25 V입니다. 그래서 입력 라인에서 .25 V를 가져 와서 (그림의 왼쪽에서 나오는) 수집기에 집어 넣는 것입니다. 스위치를 켜는 데 시간이 덜 걸립니다 ...베이스에 .25V가 더 적기 때문에? 또는 콜렉터에 .25V를 추가하여 트랜지스터가 "켜질"때 약간의 전류가 흐릅니다 (25V가 꺼져있을 때 실제로 흐르기에 충분하지 않기 때문에)? 위키피디아 항목이 혼동됩니다. 나는 그런 간단한 질문 lol에 대해 꽤 바보 같은 느낌이 든다.

여기에 이미지 설명을 입력하십시오

transistors schottky

— 샬 스키
소스

전압과 전류 개념을 정리해야합니다 (전압이 흐르지 않음). 또한 단위는 대소 문자를 구분하며 Volt의 기호는 V (대문자)입니다.

— starblue

쇼트 키 트랜지스터를 이해하기 위해 뛰어 들어야 할 한 가지 장애물은 컬렉터 이미 터 전압 간의 차이가 포화 트랜지스터의 기본 이미 터 전압보다 작다는 것입니다. (

비해 데이터 시트에서보다 정확한 값을 확인하십시오.) 쇼트 키 다이오드가 앞으로 바이어스되도록 관리하는 방법입니다.

V_{c e} \approx 0.2 V

$V_{ce} \approx 0.2V$

V_{b e} \approx 0.6 V

$V_{be} \approx 0.6V$

— Phil Frost

@starblue, OP가 올바른 습관을 얻도록 볼트 기호는 대문자 "V"이지만 볼트 자체는 대문자로 표기되지 않습니다.

— 광자

@The Photon 네, 죄송합니다. 제가 원어민이 아닙니다.

— starblue

@starblue, 많은 영어 원어민이 실제로 이것을 잘못 얻습니다.

— 광자

답변:

일어나는 일은 :

기본 전압이 상승함에 따라 트랜지스터가 켜지 기 시작하고 컬렉터 전압이 떨어집니다 (컬렉터 저항 또는 이와 유사한 전류 제한 요소가 있다고 가정)

일반적으로 일반적인 바이폴라 트랜지스터 포화 전압은 약 200mV 이하입니다. 콜렉터 전압 Vce가 Vbe-Vschottky 아래로 떨어지면 쇼트 키가 전도되기 시작하고 (현재 순방향 바이어스)베이스 전류가이를 통해 콜렉터로 흐르기 시작합니다. 이것은베이스로부터 전류를 "훔쳐"트랜지스터가 더 켜지지 않고 컬렉터가 포화 전압에 도달하는 것을 방지합니다.
시스템은 평형 상태에 도달합니다. 트랜지스터는 기본 전류가 떨어지지 않으면 더 이상 켜지지 않으며 (음성 피드백의 형태로 볼 수 있음) Vbe-Vschotkky 주변 (예 : ~ 700mv-450mV)에 고정됩니다 ~ 200mV와 반대로)

Vce의 공식은 다음과 같습니다.

Vce = Vbe-Vschottky

이 회로가 있고 0-2V의 램프 전압을 적용하는 경우 :

쇼트 키 트랜지스터

우리는 다음과 같은 시뮬레이션 결과를 얻습니다.

쇼트 키 트랜지스터 심

때 주 Vcollector~ 700MV 이하로 떨어지면, 쇼트 키가 수행하기 시작 및 650mV 주변에서 밖으로 콜렉터 전압 레벨.

쇼트 키를 제거하면 :

쇼트 키가없는 시뮬레이션

콜렉터가 89mV까지 떨어짐을 볼 수 있습니다 (그래프에서는 커서를보기 어려웠습니다)

— 올리 글레이저
소스

이런 종류의 의미는 ...하지만 트랜지스터가 "켜져"있을 때 컬렉터 전압이 떨어지고 트랜지스터가 "켜져있을 때"많은 전압이 흐르지 않아야한다는 것을 이해하지 못하는 것 같습니다. 이미 터를 통해 수집기를 통해? 트랜지스터가 어떻게 작동하는지 이해하지 못한다면 ...베이스에인가 된 전압이 컬렉터를 통해 이미 터 밖으로 흐르도록 전압이 흐르지 않습니까? 트랜지스터가 "켜져"있을 때 왜 전압이 컬렉터에서 낮아 지는지 혼동한다고 생각합니다.

이 하나에 대한 @starblue의 의견을 참조하십시오-전압이 흐르지 않으며 두 지점 사이의 전위차입니다. 트랜지스터가 켜지면 증가하는 전류입니다. 빠른 물 유추를 위해; 펌프와 같은 배터리, 전압을 생성하는 압력 및 파이프를 통해 흐르는 물이 전류를 흐르게합니다. 트랜지스터는 파이프의 밸브와 같은 역할을하여 전류를 제어합니다. 기본 전자 서적 (Practical Electronics for Inventors는 꽤 좋습니다)을 잡고 처음 몇 장을 살펴본 후 다시 돌아옵니다.

— Oli Glaser

물의 비유를 따르기 위해 저항 R2는 파이프의 좁아짐과 같으며 그에 따른 압력 차이 (전압)를 만듭니다. 트랜지스터가 열리거나 닫힐 때 트랜지스터의 압력 차이가 증가 / 감소합니다. 트랜지스터가 닫히면 압력 / 전압이 최고입니다 (물이 흐르지 않아 최대 펌프 압력이됩니다). 트랜지스터가 열리고 물 / 전류가 흐르면 압력 / 전압이 떨어 지므로 압력이 R2의 접합점에서 / 전압과 트랜지스터가 떨어집니다. 이로 인해 더 혼란 스러우면 거친 그림을 그립니다.

— Oli Glaser

트랜지스터가 닫히면 "배압"이 일어납니다. 일명 VOltage가 그 뒤에 쌓이는 것입니다. PRessure (전압)가 열리면 .2v 또는 최소값에 도달 할 때까지 해제됩니다. 옳은?

그러나 빠른 질문 .... 12v가 꺼져있을 때 트랜지스터의 컬렉터에 있기 때문에 .....이 트랜지스터를 전혀 가열합니까 ... 또는 전류를 수신하지 않기 때문에 문제가되지 않습니까?

Oli의 대답은 발생하는 역학에 대한 좋은 점입니다. 다이오드가 없으면 기본 전류가 증가하면 트랜지스터가 더 세게 켜지므로 트랜지스터가 Vce = 0.2 또는 심지어 0.05V로 포화 될 때까지 트랜지스터 Vce는 Vbe 아래로 떨어집니다.

그리고 다이오드가 존재하면 Vce가 약 0.45V (0.7V에서 다이오드 0.25V 순방향 전압을 뺀 값) 아래로 떨어지면 다이오드가 기본 전류를 훔쳐 트랜지스터가 포화되는 것을 방지합니다. (Oli가 왜 Vce = 0.7V에서 발생한다고 말했는지 잘 모르겠습니다. 아마도 시뮬레이션에서 "이상적인 다이오드"를 사용했을 것입니다).

그러나 빠진 것은 이유입니다.

트랜지스터가 포화되면,베이스 영역은 여분의 캐리어로 가득 차고,베이스로부터 그들을 끌기위한 수집기 전위 (Vce는 0에 가까움)가 거의 없다. 그러므로베이스 전류를 끄면 트랜지스터는 꺼지기 전에 상당한 시간 동안 전도 상태를 유지합니다.

이러한 방식으로 포화되지 않도록 (과도한베이스 전류를 제거함으로써) 스위치 온 시간에 영향을 미치지 않으면 서 훨씬 빠르게 스위치 오프 할 수 있음을 의미합니다.

74 시리즈 로직에이 핵을 추가하면 기본적으로 동일한 전력에 대해 속도 (74S)가 3 배가되거나 동일한 성능에 대해 훨씬 낮은 전력 (74LS)이 허용됩니다.

— 브라이언 드럼 몬드
소스

나는 이것이 약 0.7V에서 발생한다고 말했다. 이것은 대략 바이폴라 트랜지스터의베이스 이미 터 드롭이기 때문이다. 쇼트 키 다이오드 순방향 전압은 시뮬레이션과 같이 낮은 전류 레벨에서 매우 작으므로 거의 추가하지 않습니다 (베이스 저항이 더 낮 으면 언급 한 0.45V와 같은 더 낮은 전압에서 발생합니다). 내 대답에서 시뮬레이션에서 이것을 볼 수 있습니다 (약 0.7V에서 켜지 기 시작하는 다이오드).

— Oli Glaser

자, 작은 과도 전류의 경우 Vschottky는 0.25V보다 훨씬 적습니다. 그러나 Vbe는 충분히 작은 전류에서 0.6V와 비슷합니다. 그러나 방정식의 형태는 여전히 Vce = Vbe-Vschottky이며 입력 전류가 증가함에 따라 0.4V로 향하는 경향이 있습니다.

— Brian Drummond 2012 년

예, 두 번째 단락에서 "콜렉터 전압이 Vbase-Vschottky 아래로 떨어질 때"(실제로 Vbase 이미 터 여야하지만 접지가 함축되어 있음)에서이 점을 언급했습니다. 공식으로 제시되지는 않았지만 이 더 명확합니다.

— Oli Glaser

좋아, 설명을 포함하도록 답변을 편집했습니다.

— Oli Glaser

여기 질문이 있습니다 : 쇼트 키 다이오드가 단순히베이스를 컬렉터에 직접 연결하는 것과 다른 점은 무엇입니까? 그렇게하면 V_ce는 항상 약 0.6-0.7V가되며 트랜지스터는 활성 영역에 유지됩니다.