달링턴, MOSFET 및 바이폴라 접합


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나는 수십 가지 종류의 트랜지스터 가 각각 특정 목적으로 사용 된다는 것을 알고 있습니다 . 때로는 겹치는 부분이 많습니다. 주어진 회로에서 여러 종류가 작동 할 수 있지만 때때로 특정 트랜지스터 만 이상적입니다.

각 종류의 모든 세부 사항을 읽지 않고 사용할 트랜지스터 유형을 조사 할 때 유용한 일종의 빠른 참조 또는 안내서가 있습니까? 예를 들어, 나는 어떤 종류의 트랜지스터에 익숙하며 종종 프로젝트에서 사용합니다. 결국 누군가가 프로젝트를 검토하고 "왜 Y 대신 X를 사용하지 않습니까?"라고 말합니다. 그 시점에서 X를 연구하고 새로운 것을 배웁니다.

"핸디 인포 그래픽 트랜지스터"가 있다면 "X"와 관련된 모든 유형을 연구하는 데 도움이되었을 것입니다.

(예를 들어, 회로에서 제너 다이오드를 사용하려고했지만 실제로 원하는 것은 과도 전압 억제 기라는 것을 알지 못했습니다. 제너와 TVS의 관계를 보여주는 것이 유용했을 것입니다.)

인터넷을 검색한다고해서 몇 가지 트랜지스터 가계도 등이 많지는 않습니다.

트랜지스터 유형

전자 학습 에서

모든 종류의 트랜지스터에 익숙하지 않은 유용한 트랜지스터 선택 가이드를 아는 사람이 있습니까?



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일반 트랜지스터 외에도 일본 및 유럽 트랜지스터도 있습니다.
Olin Lathrop

8
나는 다이어그램이 뇌 손상을 입었다 고 생각합니다. 우선 CMOS는 일종의 트랜지스터가 아니라 별개의 N 채널과 P 채널 MOSFET의 배열입니다. IGBT와 같이이 계층 구조에 맞지 않는 트랜지스터도 있습니다.
Phil Frost

@ 필자는 더 나은 것을 필요로하는 "뇌 손상"차트를 원했다. 명확한 트랜지스터 인포 그래픽을위한 좋은 기회가 있다고 생각합니다.
JYelton

나는이 질문이 너무 개방적이기 때문에 SE에 적합하다고 생각하지 않습니다. 사실적인 답은 없습니다. : 나는 한 번 당신의 예를도에 제안 무슨 같은 계층 구조 만들기 위해 정말 불가능 이유에 대해 위키 백과에 긴 호언 장담을 썼다 en.wikipedia.org/wiki/Wikipedia_talk:Root_page/...을 . 그 중 많은 부분이 WP에만 해당되지만 "원치 않는 경우에도 계층 구조 생성"섹션이 여기에 적용됩니다.
광자

답변:


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귀하의 질문은 "트랜지스터를 어떻게 사용해야합니까?" 그리고 대답은 채워 전체 책을 . 디스트리뷰터 는 설계자의 요구를 충족시키기 위해 수만 개의 다른 트랜지스터 를 가지고 있습니다. 결과적으로, 완전하고 정확하며 동시에 유용한 인포 그래픽을 만들 수 있다고 생각하지 않습니다.

내가 를 제공하는 휴리스틱의 집합입니다 :

고르다...

  • ... BJT :

    • 전류 증폭기가 필요 ¹

    • 타는 힘이 있으므로 필요한 기본 전류가 귀찮게하지 않습니다.

    • 트랜지스터의 "바닥 레그"가 "상단 레그"위로 당겨질 수 있으며, 바디 다이오드 로 인해 MOSFET에서와 같이 이러한 경로가 발생할 때 전도하지 않으려면이 경로가 필요합니다.

    • 당신은 공격 할 필요가 CB 나 EB 다이오드 ²

  • ... JFET :

  • ... MOSFET :

    • 당신은 스위치가 필요합니다

    • BJT보다 높은 입력 임피던스가 필요하며 청구서에 맞는 IGBT를 찾을 수 없습니다

    • 회로에 필요한 전력을 제어하기에 충분하지 않은 JFET를 찾을 수 없습니다.

    • JFET를보고 있었지만 향상 모드 작업 이 필요하다는 것을 깨달았습니다.

    • 당신은 그것을 극복하는 문제를 고려하기보다는 고유의 바디 다이오드를 기능으로 이용하고 싶다

  • ... IGBT :

    • 높은 입력 임피던스 BJT처럼 행동하는 것이 필요합니다

트랜지스터 조합을 시작하면 가능성이 문자 그대로 무한 해지기 때문에 위의 트랜지스터 조합을 크게 무시했습니다. 현재 Darlington 쌍 에서 수십억 개의 트랜지스터 IC에 이르기까지 다양한 회로를 갖추고 있으며 항상 새로운 회로 배열이 설계되었습니다.

더 많은 유형의 트랜지스터가 있지만 대부분의 경우 트랜지스터로 이동하기 전에 위의 내용을 모두 알고 싶습니다. 다른 것들은 대개 위의 클래스의 파생물이므로 초기 접지가 없으면 이국적인 것을 선택할 수있는 근거가 없습니다. 예 :

  • 캡슐화되지 않은 경우 BJT의베이스가 빛에 민감하다는 사실을 이용해야합니까? 좋아, 그것은 포토 트랜지스터 이다.

  • BJT에 여러 이미 터 또는 콜렉터가 필요하십니까 ? 물론 문제 없습니다. 실리콘으로 쉽게 만들 수 있습니다. 그것은 종종 유용하므로 종종 맞춤형 실리콘 레벨에서 볼 수 있습니다.

  • BJT가 필요하지만 훨씬 빠릅니다. 좋아, 우리는 모든 것에 도핑 된 실리콘을 사용하지 않을 것이며, 재료를 이종 접합 트랜지스터 로 결합 할 것이다 .

  • 트랜지스터를 정상보다 더 단단하게 포장해야하지만 단 채널 효과 로 인해 문제가 발생 합니까? 좋아, 우리는 당신에게 FinFET을 줄 것이다 .

  • 다이오드처럼 작동하고 BJT처럼 작동하는 것이 필요하십니까? 좋아, 우리는 당신을 위해 선을 흐리게하고 UJT를 줄 것이다 .

  • IGBT와 같은 것이 필요하지만 손실이 적고 전류 게인이 더 높습니까? 의 SiC 접합 트랜지스터는 당신이 찾고있는 무슨 수 있습니다.


각주

  1. 물론 바이폴라로 전압 증폭기를 만들 수도 있습니다.

  2. 소 신호 BJT는 우수한 저 누설 다이오드를 만듭니다.

  3. Infineon의 CoolSIC 과 같은 JFET와 같은 전력 장치가 존재 하지만 비교적 새롭고 이국적이기 때문에 비용이 많이 듭니다.

  4. 이것이 JFET 입력 연산 증폭기가 너무 많은 이유입니다.

  5. 다른 모든 트랜지스터 유형도 스위치 역할을 할 수 있지만 MOSFET은이 점에서 뛰어납니다.

  6. 전력 MOSFET은 전력 JFET와 상당히 다르지 않으며, 유일한 대안은 아니지만 종종 가장 단순하고 저렴한 대안입니다.

  7. JFET는 본질적으로 공핍 모드 장치입니다.

  8. EE.SE에서 내 대답 중 하나 는 그러한 회로를 보여줍니다.


2
당신은 이것을 올바르게 다루었습니다. 질문의 순진함을 해결해야했습니다. 인포 그래픽은 여전히 ​​유용하지만 불완전해야합니다. 아마도 가장 일반적인 n 개의 트랜지스터 제품군 만 표시 될 것입니다. 지적한 것처럼 많은 유형 이 있기 때문에 트랜지스터에 대한 모든 정보를 흡수하기가 어렵습니다 . 출발점을 찾기가 어렵습니다. 제가 생각하는 것은 시작입니다.
JYelton
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