EEPROM 사용에 대한 대안

내가 이해하는 것처럼 EEPROM은 데이터를 저장하고 장치가 완전히 종료 된 경우에도 데이터를 저장하는 컴퓨터 (내 경우에는 AVR 마이크로 컨트롤러)의 일부입니다. 데이터를 쓰고 읽을 수 있습니다.

내가보고있는 문제는 유한 한 삶과 꽤 짧은 삶을 가지고 있다는 것입니다. 다시 말해, EEPROM을 닳기 전에 제한된 횟수 만 읽고 쓸 수 있습니다.

내가 찾고있는 것은 작은 폼 팩터에서 EEPROM과 동일한 기능을 달성하는 방법입니다. microSD 카드와 같은 것을 사용할 수 있다고 생각하지만 사용자가 메모리 카드를 구입할 필요가없는 솔루션을 선호합니다. 또한 최대 몇 바이트의 공간 만 있으면됩니다. 1 kB가 매우 보수적이라고 말합시다. 나는 어떤 종류의 메모리 카드를 수용하기 위해 필요한 것보다 더 많은 돈을 쓸 것입니다.

그래서 내 옵션은 무엇입니까? 짧은 수명과 높은 비용없이 이런 종류의 데이터 저장 / 검색을 달성 할 수있는 일반적인 IC 솔루션이 있습니까?

예, EEPROM은 비 휘발성 메모리 유형으로, 전원 없이도 상당한 시간 동안 데이터를 유지할 수 있습니다 (실제 시간은 온도 및 기타 조건에 따라 다름).

고려해야 할 몇 가지 다른 비 휘발성 솔루션이 있습니다.

1) 내장 플래시 메모리-오늘날 대부분의 마이크로 컨트롤러에는 코드 저장 용 플래시가 있으며 일부는 사용자 데이터 및 로깅에도 플래시를 제공합니다. 또한 쓰기주기가 제한되어 있고 비트를 '1'에서 '0'으로 변경하기 전에 블록 지우기가 필요합니다 (그 동안 다른 곳에 데이터를 저장 한 다음 다시 작성하십시오).

2) 내부 FRAM 메모리-TI는 비 휘발성 FRAM 메모리가있는 장치를 가지고 있으며 다른 메모리 위치와 마찬가지로 매우 간단하게 액세스 할 수 있습니다. 읽기도 쓰기로 인해 파괴적입니다. 섭씨 85도에서 ^ 13 정도).

3) 외장 플래시 메모리-메모리를 외부에 추가하여 몇 메가 비트의 데이터를 저렴하게 저장할 수 있습니다.

저장하려는 속도 (정상적으로 종료 할 수 있는지 여부)에 따라 사용 가능한 유효주기 수를 늘릴 수 있습니다.

EEPROM의 내구성 한계를 극복하는 방법은 마모 수준 알고리즘을 적용하는 것입니다. 기본적으로 저장하려는 모든 레코드에 대해 N- 배의 메모리 요구 사항과 N- 인덱스 값에 해당하는 공간을 할당 한 다음 추론을 사용하여 "현재 레코드"와 다음에 쓸 레코드를 알아냅니다. 에. 이 AVR 앱 노트 에 잘 설명되어 있습니다.

또 다른 잠재적 인 해결책은 약간의 정적 램과 배터리입니다. 배터리 수명이 제한되어 있지만 쓰기주기에는 제한이 없습니다. 오프 타임이 약간 작은 값이 될 경우 큰 커패시터와 같은 것을 사용하여 전원을 공급할 수도 있습니다. 리튬 코인 셀은 올바르게 설계하면 이와 같은 응용 분야에서 오래 지속될 수 있습니다.

RTC, nvram 및 배터리 (시계 작동을 유지하기 위해)를 하나의 부품으로 통합 한 부품도 있습니다. 내부 전원이 공급되면 배터리뿐만 아니라 전체 부품을 잃어 버렸지 만 제품이 얼마나 오래 지속되어야하는지에 따라 문제가되지 않을 수 있다는 단점이 있습니다.

예산이 얼마인지는 모르지만 DRAM처럼 빠르지 만 플래시와 같이 비 휘발성 인 MRAM을 살펴볼 수 있습니다 . 물론 이것들은 EEPROM 칩보다 훨씬 비쌉니다.

몇 년 전 프리 스케일에서 많은 샘플 IC를 받았지만이를 사용할 기회가 없었기 때문에 SD 카드를 연결해야하는 것보다 훨씬 간단한 회로를 사용할 수 있는지 실제로 알 수 없습니다 슬롯.

저는 전기 기술자가 아닌 컴퓨터 전문가이지만 플래시 메모리의 수명주기 문제에 대한 또 다른 접근법이 있다고 생각합니다.

내 이해는 플래시의 수명주기 문제는 실제로 글이 아니라 지우는 문제라는 것입니다. 쓰기가 단방향이라는 작은 세부 사항을 제외하고 원하는만큼 여러 번 쓸 수 있습니다.

필요한 스토리지는 작은 장치의 크기에 비해 크기가 작기 때문에 (하드웨어에 대한 액세스 수준이 충분하지 않다고 가정 할 때) 매번 다른 위치에 여러 번 쓸 수 있습니다. 기록되지 않은 메모리와 데이터를 구별 할 수 있는지 확인하고 (이 작업을 수행하는 데 필요한 경우 채 웁니다) 마지막 기록 된 셀이 현재 값입니다.

또한 데이터가 실제로 쓰기 당 한 번 증가하는 카운터 인 경우 전혀 쓰지 않고 틱당 1 비트를 쓰면 더 많은 정보를 얻을 수 있습니다. 카운트는 쓴 비트 수입니다.

Microchip의 Serial NVSRAM이 청구서에 적합 할 수 있습니다.

Serial NVSRAM offers non-volatile RAM storage and is ideal for applications that need to write very often to the memory. This device is significantly lower cost than other non-volatile RAM devices and the data is backed using an external battery. This 8-pin, SPI device supports unlimited instantaneous writes to the memory array, making it ideal in applications such as meters, data loggers, data recorders, black boxes. These devices are available in 512Kbits and 1Mbit densities.

이 직렬 메모리 제품군은 배터리 백업을 지원합니다. 데이터 시트는 배터리로부터 1uA 미만의 전류 소비를 언급한다. 가격은 1K 수량에서 $ 2 미만이며 무료 샘플은 Microchip에서 제공합니다. IC는 취미 친화적 인 PDIP 및 SOIC 패키지로 제공됩니다.

직렬 FRAM을 살펴볼 수 있습니다. 주요 제조업체는 Cypress (Nee Ramtron) 인 것으로 보입니다. 한 부분이 있습니다 :

http://www.cypress.com/?rID=73530

그것은 큰 크기 (내가 본 것 중 가장 큰 것은 2Mbit 임), MRAM 또는 플래시와 호환되는 프로토콜이며, 지우지 않고도 바이트를 읽을 수 있고 빠르며 빠릅니다. 유지율은 엄청나게 높습니다.

그것은 찾기가 조금 어렵다고 말했습니다. 유통 업체가 많지 않고 즉시 매진하는 것처럼 보이는 유통 업체도 있습니다. Cypress는 자체 매장 (무료 배송)을 보유하고 있으며 나 사이에 FM25V04 부품 2 개를 주문했습니다. 6 주 리드 타임은 ...