인덕터의 포화 상태

나는 "핵심이 전류를 처리하기에 충분히 크지 않고 채도에 도달 할 것"이라는 많은 시간을 들었다. 채도는 무엇이고 왜 채도에 도달하는 것이 나쁜가?

Rawbrawb의 답변 은 채도가 발생하는 실제 메커니즘을 설명하지 않으며, 이는 매우 이해하기 쉽습니다.

재료가 자기장을 생성하는 방법을 먼저 이해하는 데 도움이됩니다. 이것을 생각하는 간단한 방법은 각 원자가 자기장을 생성하는 작은 전류 루프이기 때문입니다.

자성 재료에는 수많은 루프가 있습니다. 이러한 루프는 모든 루프가 정렬되어있는 미세한 영역 인 "자기 도메인"에 정렬되는 경향이 있습니다. 자화되지 않은 물질에서, 도메인의 방향은 무작위로 분포되어 있으며, 따라서 순수한 자기장이 없다.

강자성 재료에 자기장을 가하면 자구가 정렬되기 시작하여 재료로부터 "유도 된"자기장이 발생합니다. 적용된 자기장을 증가 시키면 자기 도메인이 정렬되는 양이 증가하여 유도 자기장이 증가합니다. 이것은 일반적으로 매우 비선형입니다. 어떤 시점에서, 적용된 자기장은 모든 도메인을 정렬 시키며, 더 이상 물질로부터 자기장을 증가시킬 수 없다. 이 상태를 "채도"라고합니다.

이것을 이해하려면 먼저 자기장에서 투과성의 역할을 이해해야합니다. 투자율이 높은 자기장에 재료가 있으면 필드가 강화됩니다. 따라서 투과성 재료가 높은 장치는 재료가없는 동일한 장치보다 인덕턴스가 더 높습니다. 적은 양으로 더 높은 가치의 구성 요소를 가질 수 있기 때문에 이것은 좋은 속성입니다.

_{(출처 : material-sys.com )}

그러한 물질이지지 할 수있는 자기장 세기에는 종종 한계가있다. 투과율을 잃거나 줄이는 방법에 대한 메커니즘은 재료에 따라 다릅니다. 그러나 투자율이 떨어지는 한계가 있습니다. 이 시점 (Hm, Bm)에서 물질이 포화되었다고하는데, 이는 물이 걸레를 포화시키는 방법과 유사합니다. 이 경우를 제외하고, 걸레는 종종 이미 흡수 한 물의 일부를 지탱할 수있는 능력을 느슨하게하므로 정확한 비유는 아닙니다.

이것의 두 가지 주요 위험이 있습니다.

1. 인덕턴스 또는 링크 인덕턴스의 값은 좋은 관계를 따르지 않으므로 회로가 설계된 매개 변수가 변할 수 있습니다 (이 포화가 의도하지 않은 경우). 그러나 일부 회로 설계는 역할을 수행하기 위해 그의 효과에 의존합니다.
2. 일부 재료에서는 투과성이 많이 떨어집니다. 즉, 기존 자기장 라인은 이제 어느 곳을 찾아야하므로 결과적으로 장치 주변의 볼륨을 빠르게 지원하는 코어 재료에서 "튀어 나오"게됩니다. 이러한 빠르게 확장되는 전 계선은 다른 자기 장치를 방해 할 수 있으며 EMI (전자기 간섭)의 원인이기도합니다.

공기 인덕터는 인덕턴스 값이 훨씬 낮지 만이 포화 효과를 나타내지 않습니다.