최대 역 전압 이외의 1N4001과 1N4007의 차이점은 무엇입니까?


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여기서 1N400x 다이오드를 비교했습니다 . 내가 아는 한, 그들의 모든 속성은 최대 역 전압 이외의 속성입니다.

그들의

  • 최대 전류
  • 회복 시간
  • 역 누설 전류
  • 정전 용량

동일합니다.

1N4007은 다른 모든 1N400x 다이오드의 슈퍼 버전 인 것 같습니다. 그렇다면 왜 1N4001 ... 1N4006 다이오드를 생산하고 왜 구매해야합니까? 1N4007이 단독으로 작업하는 경우 왜 다른 버전이 여전히 시장에 나와 있습니까?

답변:


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@Vasiliy와 @johnfound의 답변이 잘못되었습니다. "우연한"제조 변형을 제외하고 1N400x 다이오드가 모두 동일하지는 않습니다.

더 높은 역 전압 정격을 가진 다이오드는 의도적 으로 더 낮은 도핑 으로 제조되어 주어진 역 전압에 대한 공핍 영역이 그렇지 않은 것보다 더 넓습니다. 더 가벼운 도핑의 단점은 고전압 다이오드에 대한 순방향 저항 및 전압 강하가 저전압 다이오드에 대한 것보다 높다는 것이다.

따라서 모든 애플리케이션에 1N4007을 사용할 있지만 저전압 애플리케이션에보다 적절한 정격 다이오드를 사용하면 회로 효율이 약간 높아집니다.


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제조업체 사양에 따르면 순방향 전압 강하는 모든 1N400x 다이오드에 대해 완전히 같습니다.
johnfound

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내가 아는 한, 접합 용량은 공 핍층 폭에 매우 민감하다. 실제로 도핑 밀도와 공 핍층 폭만이라면 접합 커패시턴스가 1 로 변할 것으로 예상됩니다. . 이 제조업체에 의해 제공되는 데이터와 일치하지 않는, 따라서 I 결론 다르지 책임이 넓은 공 핍층을 초래할 것이 아니라 그 도핑 농도V의B. PN 다이오드는 모든 이론적 인 예에서 설명 된 간단한 2D 모델보다 훨씬 더 복잡 할 수 있습니다.1VV
Vasiliy

... 답변에 대한 참조를 제공 할 수 있습니까? 나는 다이오드 제조업체가 제대로 작동하지 않는 다이오드를 버리고 덜 관용 장치로 판매하려고하지 않는다고 믿을 수 없습니다.
Vasiliy

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나는 약 30 년 전에 4007 년에 4001에 걸쳐 4007에서 순방향 전압이 증가한 것을 보았습니다 (불행히도 더 이상 관련 데이터가 없습니다). 제조가 변경되었을 수 있으며 더 이상 사실이 아닙니다. 나는 그것에 대한 현재의 증거를 볼 수 없습니다.
Brian Drummond

일부 비닝이 진행되고 있다고 생각하지만 이것이 전부는 아닙니다. 내가 정확하게 기억한다면 1n4007 다이오드는 1n4001보다 훨씬 더 부피가 크다.
jbord39

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공정 변동으로 인해 제조 된 반도체 장치는 다른 특성을 가질 수 있습니다. 많은 제조업체는 제조 된 부품에 대해 " 비닝 "전략을 사용합니다. 부품을 테스트하고 장치 성능에 따라 여러 "빈"으로 나눕니다. 일단 이렇게하면 더 나은 성능의 장치를 더 많은 돈으로 팔 수 있습니다.

비닝 전략이 1N400x에 채택되었다고 확신하지만 처음에 얼마나 많은 풀이 생성되었는지는 알 수 없습니다. 내 추측은 7 개의 쓰레기통이 파생 된 2 개의 수영장입니다. 이 추측은 일반적인 정션 커패시턴스에 대한 데이터가 데이터 시트의 데이터 에 두 개의 영역 . 이 제조업체에 대해 옳다고해도 풀 수는 제조업체마다 다를 수 있습니다.

이 다이오드의 차이점은 주로 역 항복 전압입니다. 다른 많은 매개 변수가 있습니다. 차이점은 앞에서 언급 한 접합 커패시턴스와 같은 데이터 시트에 언급되어 있으며, 다른 부분은 그렇지 않습니다. 일반적으로 역 항복 전압 (1N4001과 1N4007 사이)의 x20 비율은 접합 특성의 주요 차이점을 반영합니다. 이러한 특성은 다이오드의 거의 모든 전기 매개 변수에 영향을 미쳐야합니다.

제조업체는 이러한 다이오드의 주요 고용 영역에 매우 미세한 차이가 중요하지 않기 때문에 이러한 다이오드를 정확히 동일한 특성을 갖는 것으로 나타냅니다. 있다그래도 더 정밀해야하는 응용 프로그램 .

사람들은 다이오드의 역 고장을 이용하는 애플리케이션도 있다고 말합니다. 이러한 애플리케이션에서는 적절한 항복 전압을 선택할 수 있습니다. 그래도 구체적인 내용을 모르겠습니다.

몇 년 전만해도이 다이오드가 소개되고 반도체 프로세스가 완성되지 않았을 때 서로 다른 다이오드 간의 차이가 더욱 두드러졌습니다.

요약:

가격이 동일하고 저주파수 정류와 같은 "표준"응용 분야에서 이러한 다이오드를 사용하는 경우 역방향 항복 전압 요구 사항을 충족하는 한이 다이오드를 사용할 수 있습니다. 보다 민감한 무언가를 위해 그것들을 사용할 계획이라면, 어느 스위트가 더 나은지 확인하기 위해 모두 테스트 할 수 있습니다.


"반도체 프로세스가 성숙하지 않았다"는 +1 요즘에는 일부 부품이 비닝되지 않았는지, 단순히 수요가 지시하는 것으로 표시되고 단순히 절대 사용되지 않는 기본 부품이기 때문에 전파되었습니다.
Trevor_G

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1N4001..1N4007으로 판매되는 근본적으로 다른 두 가지 유형의 다이오드가있는 것으로 보입니다. 첫 번째 유형은 기존 다이오드이며 1N4001..1N4005로 판매됩니다. 모든 것에 1N4005 다이오드를 사용할 때 단점은 없습니다 (가격을 제외하고). 필자의 경험에 따르면 가격 차이는 매우 명 목적이거나 대량으로 존재하지 않습니다 (예 : 100k 가격).

두 번째 유형은 PIN 구성 이며 1N4006 및 1N4007에 사용됩니다.

1N4006-1N4007은 정방향 및 역방향 복구 시간이 더 나쁩니다. 또한 모든 역방향 바이어스 전압 (예 : -10V에서 15pF vs. 10pF)에서 접합 커패시턴스가 더 낮습니다. 차이점을 설명하는 실제 곡선은 Motorola Semiconductor Library 데이터 북을 참조하십시오. 예를 들면 다음과 같습니다.

여기에 이미지 설명을 입력하십시오

50 / 60Hz 정류의 경우 실질적인 차이가 거의 없으며 주어진 전류에서 순방향 전압의 차이가 없습니다.

현대에는 더 높은 주파수 (몇 kHz 구형파 또는 5kHz 사인파 이상)에서 다른 유형의 다이오드를 사용할 수 있으므로 차이가 더 이상 중요하지는 않지만 소수의 사람들이 PIN 유형을 RF 서비스에 적용했습니다.


2

나는 확실히 Spehro Pefhany의 대답처럼,하지만 오늘날의 datasheets- 많은 더 이상 차이를 언급하지 않는 ...에 http://www.comchiptech.com/cms/UserFiles/QW-BG013%201N4001%20Thru456224.%201N4007%20REV .A.pdf

http://www.mccsemi.com/up_pdf/1N4001-1N4007(DO-41).pdf

http://www.vishay.com/docs/88504/1n4001gp.pdf

http://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF

Diodes Inc.의 오리지널 버전 은 저전압 버전 에서 접합 커패시턴스가 더 나쁜 이러한 차이점을 가지고 있습니다.

다이오드 데이터 시트 발췌

그러나 그들은 새로운 1N400xG 버전 에서 모두 8pF입니다 ...

G 버전

더 이상 인식 할 수있는 차이가없는 것 같습니다. 많은 BOM에 다른 버전이 지정되어있는 것 외에는 각 MFR이 모든 버전을 계속 제공합니다.


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이것들은 모두 같은 다이오드입니다. 반도체 기술은 그다지 정확하지 않으므로 한 기술주기에서 생산 된 다이오드는 다릅니다. 정렬 후 각각 표시됩니다. 다이오드뿐만 아니라 일반적인 관행입니다.

또한 다이오드가 애벌 런치 항복 모드에서 작동하는 회로도 (종종 그렇지는 않음)가 있기 때문에 항복 전압을 예측할 수 있어야합니다.

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