데이터를 읽으면 SSD가 마모됩니까?


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과도한 쓰기 (포맷, 조각 모음 등 포함)가 솔리드 스테이트 드라이브를 마모시키는 것은 거의 상식입니다. 그러나 SSD에서 많은 양의 데이터를 읽는 것도 마모를 유발합니까?

SSD가있는 Linux 시스템에서 프리 페치를 활성화 할 계획입니다. 한 번 비활성화되었습니다.


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일반적인 지식이지만 대부분의 사람들은 SSD 쓰기 속도가 너무 빠릅니다. 인텔 은 소비자 수준 드라이브 의 쓰기를 소모하지 않고 10 년 동안 하루에 21GB 이상을 쓸 수 있다고 명시하고 있습니다 .
Shinrai

(또한 실제로 유용한 것은 없기 때문에 SSD를 조각 모음하지 마십시오.)
Shinrai

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코트 걸이와 같은 금속 조각을 구부리십시오. 정보를 구부려 정보를 "쓰기"(예 : straight = 0, 굽은 = 1)하고 정보를 "읽어"볼 수 있습니다. (중요한) 해를 입지 않고 원하는만큼 읽을 수 있지만 중단되기 전에 여러 번 쓸 수만 있습니다.
Synetech

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@Synetech-SSD의 데이터의 실제 위치는 A : 환경의 99 %와 거의 관련이 없으며 B : 대부분의 조각 모음 소프트웨어가 하드 드라이브를 예상하여 작성되었으므로 컨트롤러가 올바르게 이해하지 못합니다. 드라이브는 대부분의 물건을 처리합니다 (마모 평준화 목적으로 다른 장소에 놓이는 것 등). 물론 여기에서 지나치게 지나치게 단순화되었습니다.
Shinrai

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이 의견의 거의 모든 정보가 최신 정보가 아닙니다.
David Schwartz

답변:


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장치에 영향을 미치지 않습니다. Flash의 제한된 쓰기 수명은 작동 방식의 자연스러운 결과입니다.

비트는 매우 잘 격리 된 층에 전자가 고정되어 있기 때문에 플래시 드라이브의 데이터는 안전합니다. 존재하는 경우, 이들 전자는 근처의 트랜지스터에 의해 픽업 될 수있는 전기장을 생성한다. 그것들이 잠겨 있기 때문에 트랜지스터를 읽는 것은 전자에 영향을 미치지 않습니다. 그러나, 기록하는 동안, 그 층을 통해 전자를 얻기 위해서는 플래시는 매우 높은 전압이 필요하다. 이러한 고전압은 절연 층에 약간의 손상을 일으켜 발생합니다.

이에 비해 DRAM에는 이러한 격리 계층이 없습니다. 전자는 아주 쉽게 움직입니다. 결과적으로 DRAM은 더 빠르며 쓰기에서 분해되지 않지만 누출 된 전자는 자주 교체해야합니다. 전원을 끄면 모두 밀리 초 안에 사라집니다.


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읽기 자체는 직접적으로 유해하지는 않지만 과도한 읽기로 인해 펌웨어가 백그라운드 쓰기를 생성 할 수 있다는 점에 유의해야합니다. 즉, 백그라운드 쓰기는 대부분의 경우 중요하지 않을 것입니다. 추가 정보 : superuser.com/a/725145/6091
rob

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읽기 프로세스가 NAND 셀에 영향을 미친다고 생각하지 않습니다 (예 : 이 기사 의 맨 아래를 보라 ). "페이지"또는 소거 블록이 매우 오랫동안 재 프로그래밍되지 않으면 일부 비트가 프로그래밍되지 않은 상태로 되돌아 갈 가능성이있을 수 있습니다 (아마도 매우 작음). 펌웨어가이를 고려하여 오랫동안 읽지 않은 페이지를 다시 쓰거나 다시 매핑하는지 확실하지 않습니다.


흥미 롭군 이 행동에 대해 더 많은 정보를 가지고 있습니까?
dtmland

불행히도 아니지만 추가 정보가 발생하면 업데이트를 기억하려고합니다.
LawrenceC

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읽기 자체는 유해하지는 않지만 과도한 읽기로 인해 펌웨어가 백그라운드 쓰기를 생성하여 보존 오류 및 읽기 오류를 방지 할 수 있습니다. @dtmland ultrasawblade의 답변에서 영감을 얻은 유사한 질문에 대한 내 답변을 참조하십시오. superuser.com/a/725145/6091
rob

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신뢰성 의 섹션 이 표는 내가 드라이브에 영향을주지 않습니다 읽는 가정, 그래서 그것을 언급하지 않습니다.


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이것이 저의 가정이기도하지만, 프리 페칭 비활성화는 무료이며 새로운 SSD는 많은 비용이 듭니다.
Wander Nauta

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플래시 메모리는 단지 EEPROM (재 프로그램 할 수있는 칩이다. 마모는 발생하는 프로그래밍이며, 읽기 제한이 있습니다. 그 단지 메모리를 읽기. http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory#NAND_flash 이 문서 회담 재 프로그래밍의 작동 방식과 기본적으로 데이터를 메모리에 '굽는'방법에 대해 설명합니다.


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플래시! == EEPROM
Alvin Wong

예, 기술적으로 EEPROM은 아니지만 읽기가 손상을 입히지 않는다는 점에서 여전히 그렇습니다.
Shinrai
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