토템폴 구조에서 슛 스루가 발생하지 않는 이유는 무엇입니까?

MOSFET을 구동하기 위해 BJT에서 토템폴을 설계하고 있습니다. 몇 가지 온라인 예제를 연구하고 이해 한 내용에 따라 회로를 작성했습니다. 그러나 내 마음에 갇힌 세부 사항이 있습니다. 클럭 펄스의 천이 시간 동안 (예 : ) 이 회로에서 슛 스루가 발생하지 않는 이유를 알고 싶습니다 . 다시 말해, 전환 중에 두 BJT가 동시에 켜지지 않는 이유는 무엇입니까?$V_{clk} \tilde= 6V$

^{이 회로 시뮬레이션 – CircuitLab을 사용하여 작성된 회로도}

시뮬레이션 결과 :

( V _tp 와 V _gs가 겹칩니다. )

이 트랜지스터는 NPN의 경우 Vbe> 0.6V, PNP의 경우 Vbe <-0.6V가 아니면 전도하지 않습니다. 베이스와 이미 터가 함께 묶여 있기 때문에이 두 가지 조건이 동시에 적용되는 것은 불가능합니다. 따라서 한 트랜지스터를 켜면 다른 트랜지스터가 꺼집니다.

하나

R2가 너무 낮 으면 켜진 트랜지스터가 "포화"됩니다. 그리고 포화 상태 일 때,베이스 전류가 제거 된 후 꺼지는 데 상당한 시간이 걸립니다. 이 질문과 답변 은 그 문제에 대한 유명한 해결책 중 하나를 설명합니다.

그러나 R2의 현재 값은 R2 양단의 전압이 상대적으로 낮아서 트랜지스터가 강하게 포화되지 않고 비교적 빠르게 꺼지기 때문에 기본 전류를 제한합니다.

진정한 토템 폴 구성에서, 슛 스루는 일반적으로 스위칭 동안 매우 짧은 시간 동안 발생합니다.

그러나 당신이 가진 것은 토템 폴 구성이 아닙니다. 두 개의 이미 터 팔로워가 연속적으로 있습니다. 이 경우, 당신은 통해 촬영을하지 않습니다. 각 트랜지스터가 켜지려면베이스는 이미 터에서 컬렉터 전압을 향한 하나의 접합 드롭이어야합니다. 따라서 이중 이미 터 팔로워에는 트랜지스터가 전도하지 않는 2 개의 접합 드롭 (약 1.2-1.4V) 불감 대가 있습니다.

예를 들어 Vtp가 6V이고 각 트랜지스터가 의미있는 방식으로 켜려면 적어도 600mV BE 전압이 필요하다고 가정합니다 (실제로 PNP의 경우 -600mV이지만이 경우에는 내포됩니다). 이는 R2의 오른쪽이 5.4 ~ 6.6V 범위에있을 때 두 트랜지스터가 모두 꺼져 있음을 의미합니다. 이 전압이 6.6V를 초과하면 상단 트랜지스터가 하나가되기 시작하여 이미 터에서 전류가 흘러 Vtp가 구동 전압보다 600-700mV가됩니다. 하단 트랜지스터의 반대 부호와 동일하게 작동합니다. 구동 전압이 5.4V 아래로 떨어지면 하단 트랜지스터가 이미 터를 통해 전류를 전도 및 싱크하기 시작하여 Vtp를 낮추어 구동 전압 아래 600-700mV를 유지합니다.