«mosfet-driver» 태그된 질문

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* 선형 * MOSFET 드라이버 스테이지 설계
트랜지스터를 선형 증폭기 (스위치가 아닌)로 작동시키기 위해 연산 증폭기와 전력 MOSFET 사이에 배치 할 수있는 MOSFET 드라이버 회로를 찾고 있습니다. 배경 약 1µs의 부하를 밟을 수 있어야하는 전자 부하 회로를 개발 중입니다. 가장 중요한 스텝 크기는 100mA로 작지만 일단 해결되면 2.5A / µs의 큰 신호 스텝 속도를 달성하고 싶을 것이다. …
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높은 유도 부하를 운전하면 MOSFET 드라이버가 파괴됨
배경 점화 코일 시스템을 사용하여 비교적 높은 전압 (> 200KV)을 생성하려고합니다. 이 질문은 우리가 약 40-50KV의 어딘가에서 생성하려고하는이 시스템의 단일 단계를 다룹니다. 원래 함수 발생기는 MOSFET을 직접 구동하는 데 사용되었지만 턴 오프 시간은 상당히 느 렸습니다 (함수 발생기와 RC 곡선). 다음으로, 멋진 토템폴 BJT 드라이버가 만들어졌지만 정상적으로 작동하지만 하강 시간과 …
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하이 사이드 MOSFET 드라이버 용 부트 스트랩 회로
N 채널 하이 사이드 MOSFET을 스위칭하기위한 MOSFET 드라이버 IC의 부트 스트랩 드라이버 작동에 매우 익숙합니다. 이 사이트 및 다른 사이트에서 기본 작업에 대해 철저히 설명합니다. 내가 이해하지 못하는 것은 하이 사이드 드라이버 회로 자체입니다. 좋은 드라이버는 많은 양의 전류를 밀고 당기기 때문에 VH 핀을 높거나 낮게 구동하기 위해 IC 내에 …
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게이트 저항 값을 설계하는 방법은 무엇입니까?
이것은 내가 작업하고있는 드라이버 IC (LM5112)의 데이터 시트입니다. 다음은 모듈의 응용 다이어그램입니다. 기본적으로 이것은 PDM 신호를 입력으로 사용하는 MOSFET 용 GATE 드라이버 회로입니다. MOSFET 입력 저항 (R3)의 값을 계산하는 방법을 찾고 있습니까? MOSFET 입력 전압 (VDS) = 10V 필요한 출력 전력은 200W입니다. 질문 : 1) MOSFET 입력 저항을 계산하는 방법은 …
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토템폴 구조에서 슛 스루가 발생하지 않는 이유는 무엇입니까?
MOSFET을 구동하기 위해 BJT에서 토템폴을 설계하고 있습니다. 몇 가지 온라인 예제를 연구하고 이해 한 내용에 따라 회로를 작성했습니다. 그러나 내 마음에 갇힌 세부 사항이 있습니다. 클럭 펄스의 천이 시간 동안 (예 : ) 이 회로에서 슛 스루가 발생하지 않는 이유를 알고 싶습니다 . 다시 말해, 전환 중에 두 BJT가 동시에 …
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MOSFET 드레인 전압 강하에서이 문제의 원인은 무엇입니까?
최종 업데이트 : 이전의 신비한 전력 MOSFET 스위칭 파형을 이해하십시오! @Mario는 IRF2805와 같은 많은 전력 MOSFET의 전형적인 소위 VDMOS 디바이스와 차별화되는 아래의 근본 원인을 밝혀 냈습니다 . 업데이트 : 단서를 찾았습니다! :) @PeterSmith는 아래 주석 중 하나에서 MOSFET 데이터 시트의 게이트 전하 사양을 이해하는 데 도움이 되는 훌륭한 리소스 를 …
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이 H 브리지에서 왜 MOSFET 드라이버가 끊어 졌습니까?
나는 상당히 견고한 12V 윈드 스크린 와이퍼 모터를 작동시키기 위해 개별 H-Bridge 회로를 만들었습니다. 회로는 아래에 있습니다 (편집 : 더 큰 PDF 는 여기를 참조하십시오 , StackExchange는 이미지를 확장 할 수없는 것 같습니다) : RM : 더 큰 이미지를 참조 하십시오 -이들은 시스템에 의해 저장되지만 작은 크기로만 표시됩니다. "새 탭에서 …
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